Το SRN2010-R68M είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SRN2010-R68M, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SRN2010-R68M μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SRN2010-R68M με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SRN2010-R68M
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SRN2010-R68M
- Κατασκευαστής:
- Bourns, Inc.
- Περιγραφή:
- FIXED IND 680NH 2.8A 55 MOHM SMD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 52156 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- SRN2010-R68M.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | Wirewound |
| Ανοχή: | ±20% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| θωράκιση: | Semi-Shielded |
| Σειρά: | SRN2010 |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Q @ Συχν: | 10 @ 1MHz |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Nonstandard |
| Αλλα ονόματα: | SRN2010-R68MTR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Υλικό - Πυρήνας: | Ferrite |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 18 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Επαγωγική συχνότητα - Δοκιμή: | 1MHz |
| Επαγωγή: | 680nH |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.040" (1.02mm) |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | 200MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 680nH Semi-Shielded Wirewound Inductor 2.8A 55 mOhm Max Nonstandard |
| Αντίσταση DC (DCR): | 55 mOhm Max |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 2.8A |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | 3.2A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SRN2010-R68M
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
SRN2010-2R2M | Bourns, Inc. | FIXED IND 2.2UH 1.7A 170 MOHM | Έρευνα |
 |
SRN2009T-R68M | Bourns, Inc. | IND,2X1.6X0.95MM,0.68UH20%,1.5A, | Έρευνα |
|
SRN2010-R24M | Bourns, Inc. | FIXED IND 240NH 4.4A 28 MOHM SMD | Έρευνα |
 |
SRN2010TA-180M | Bourns, Inc. | FIXED IND 18UH 340MA 1.8 OHM SMD | Έρευνα |
|
SRN2009T-R33M | Bourns, Inc. | IND,2X1.6X0.95MM,0.33UH20%,2.1A, | Έρευνα |
|
SRN2010-1R0M | Bourns, Inc. | FIXED IND 1UH 2.4A 72 MOHM SMD | Έρευνα |
|
SRN2010TA-6R8M | Bourns, Inc. | FIXED IND 6.8UH 550MA 500 MOHM | Έρευνα |
|
SRN2010TA-220M | Bourns, Inc. | FIXED IND 22UH 270MA 2 OHM SMD | Έρευνα |
|
SRN2010-R47M | Bourns, Inc. | FIXED IND 470NH 3.3A 42 MOHM SMD | Έρευνα |
|
SRN2010TA-100M | Bourns, Inc. | FIXED IND 10UH 450MA 720 MOHM | Έρευνα |
|
SRN2010TA-1R0Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 1UH 1.6A 80 MOHM SMD | Έρευνα |
|
SRN2009T-4R7M | Bourns, Inc. | IND,2X1.6X0.95MM,4.7UH20%,0.75A, | Έρευνα |
|
SRN2010TA-2R2M | Bourns, Inc. | FIXED IND 2.2UH 1.2A 145 MOHM | Έρευνα |
|
SRN2009T-6R8M | Bourns, Inc. | FIXED IND 6.8UH 650MA 550MOHM | Έρευνα |
|
SRN2010TA-3R3M | Bourns, Inc. | FIXED IND 3.3UH 950MA 245 MOHM | Έρευνα |
|
SRN2009T-R47M | Bourns, Inc. | FIXED IND 0.47UH 2A 38MOHM SMD | Έρευνα |
|
SRN2010TA-4R7M | Bourns, Inc. | FIXED IND 4.7UH 900MA 360 MOHM | Έρευνα |
|
SRN2010TA-150M | Bourns, Inc. | FIXED IND 15UH 360MA 1.4 OHM SMD | Έρευνα |
|
SRN2010TA-1R5Y | Bourns, Inc. | FIXED IND 1.5UH 1.26A 130 MOHM | Έρευνα |
 |
SRN2010-1R5M | Bourns, Inc. | FIXED INDUCT 1.5UH | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική