Το SRF1280-151M είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SRF1280-151M, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SRF1280-151M μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SRF1280-151M με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SRF1280-151M
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SRF1280-151M
- Κατασκευαστής:
- Bourns, Inc.
- Περιγραφή:
- INDUCT ARRAY 2 COIL 150UH SMD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 26306 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- SRF1280-151M.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Ανοχή: | ±20% |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
| θωράκιση: | Shielded |
| Σειρά: | SRF1280 |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Nonstandard |
| Αλλα ονόματα: | SRF1280-151MTR SRF1280151M |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C |
| Αριθμός Ρόλοι: | 2 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 18 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Αυτεπαγωγή - που συνδέονται σε σειρά: | 600µH |
| Επαγωγή - σε παράλληλη σύνδεση: | 150µH |
| Ύψος: | 0.315" (8.00mm) |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Shielded 2 Coil Inductor Array 600µH Inductance - Connected in Series 150µH Inductance - Connected in Parallel 261 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 1.59A Nonstandard |
| Αντίσταση DC (DCR) - Σειρά: | 1.013 Ohm Max |
| Αντίσταση DC (DCR) - Παράλληλη: | 261 mOhm Max |
| Τρέχουσα Κορεσμός - Σειρά: | 1.51A |
| Τρέχων Κορεσμός - Παράλληλος: | 3.01A |
| Τρέχουσα βαθμολογία - Σειρά: | 796mA |
| Τρέχουσα βαθμολογία - παράλληλη: | 1.59A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SRF1280-151M
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
SRF1260A-6R8Y | Bourns, Inc. | INDUCT ARRAY 2 COIL 6.8UH SMD | Έρευνα |
 |
SRF1280-471M | Bourns, Inc. | INDUCT ARRAY 2 COIL 470UH SMD | Έρευνα |
|
SRF1280-331M | Bourns, Inc. | INDUCT ARRAY 2 COIL 330UH SMD | Έρευνα |
|
SRF1280-470M | Bourns, Inc. | INDUCT ARRAY 2 COIL 47UH SMD | Έρευνα |
|
SRF1260A-8R2Y | Bourns, Inc. | INDUCT ARRAY 2 COIL 8.2UH SMD | Έρευνα |
|
SRF1280-100M | Bourns, Inc. | INDUCT ARRAY 2 COIL 10UH SMD | Έρευνα |
|
SRF1280-102M | Bourns, Inc. | INDUCT ARRAY 2 COIL 1MH SMD | Έρευνα |
|
SRF1280-1R0Y | Bourns, Inc. | INDUCT ARRAY 2 COIL 1UH SMD | Έρευνα |
|
SRF1260A-821M | Bourns, Inc. | INDUCT ARRAY 2 COIL 820UH SMD | Έρευνα |
|
SRF1280-101M | Bourns, Inc. | INDUCT ARRAY 2 COIL 100UH SMD | Έρευνα |
|
SRF1280-221M | Bourns, Inc. | INDUCT ARRAY 2 COIL 220UH SMD | Έρευνα |
|
SRF1280-3R3Y | Bourns, Inc. | INDUCT ARRAY 2 COIL 3.3UH SMD | Έρευνα |
|
SRF1260A-681M | Bourns, Inc. | INDUCT ARRAY 2 COIL 680UH SMD | Έρευνα |
|
SRF1280-1R5Y | Bourns, Inc. | INDUCT ARRAY 2 COIL 1.5UH SMD | Έρευνα |
|
SRF1280-150M | Bourns, Inc. | INDUCT ARRAY 2 COIL 15UH SMD | Έρευνα |
|
SRF1260A-820M | Bourns, Inc. | INDUCT ARRAY 2 COIL 82UH SMD | Έρευνα |
|
SRF1280-2R2Y | Bourns, Inc. | INDUCT ARRAY 2 COIL 2.2UH SMD | Έρευνα |
|
SRF1280-330M | Bourns, Inc. | INDUCT ARRAY 2 COIL 33UH SMD | Έρευνα |
|
SRF1280-220M | Bourns, Inc. | INDUCT ARRAY 2 COIL 22UH SMD | Έρευνα |
|
SRF1260A-R47Y | Bourns, Inc. | INDUCT ARRAY 2 COIL 470NH SMD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική