Το SP8M21FRATB είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SP8M21FRATB, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SP8M21FRATB μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SP8M21FRATB με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SP8M21FRATB
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SP8M21FRATB
- Κατασκευαστής:
- LAPIS Semiconductor
- Περιγραφή:
- 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 43439 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.SP8M21FRATB.pdf2.SP8M21FRATB.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 8-SOP |
| Σειρά: | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 25 mOhm @ 6A, 10V, 46 mOhm @ 4A, 10V |
| Ισχύς - Max: | 2W |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Αλλα ονόματα: | SP8M21FRATBCT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 1400pF @ 10V, 2400pF @ 10V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 21.6nC @ 5V, 28nC @ 5V |
| FET Τύπος: | N and P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | Standard |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 45V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Mosfet Array N and P-Channel 45V 6A (Ta), 4A (Ta) 2W Surface Mount 8-SOP |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 6A (Ta), 4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SP8M21FRATB
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
SP8K5FU6TB | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC | Έρευνα |
|
SP8M4FRATB | LAPIS Semiconductor | 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP | Έρευνα |
|
SP8M10FU6TB | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC | Έρευνα |
 |
SP8K3TB | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC | Έρευνα |
 |
SP8M51TB1 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8 | Έρευνα |
|
SP8K52FRATB | LAPIS Semiconductor | 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET | Έρευνα |
|
SP8K4TB | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC | Έρευνα |
|
SP8M5FRATB | LAPIS Semiconductor | 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET | Έρευνα |
|
SP8K4FU6TB | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC | Έρευνα |
|
SP8M4FU6TB | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC | Έρευνα |
|
SP8K3FU6TB | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC | Έρευνα |
|
SP8M10TB | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC | Έρευνα |
|
SP8M2FU6TB | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC | Έρευνα |
|
SP8M3FU6TB | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC | Έρευνα |
|
SP8M5FU6TB | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC | Έρευνα |
|
SP8K5TB | LAPIS Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC | Έρευνα |
|
SP8M3TB | LAPIS Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC | Έρευνα |
|
SP8M24FRATB | LAPIS Semiconductor | 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP | Έρευνα |
|
SP8M51FRATB | LAPIS Semiconductor | 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET | Έρευνα |
|
SP8K33FRATB | LAPIS Semiconductor | 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC