Το SIT8008BI-83-XXS-24.000000X είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SIT8008BI-83-XXS-24.000000X, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SIT8008BI-83-XXS-24.000000X μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SIT8008BI-83-XXS-24.000000X με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SIT8008BI-83-XXS-24.000000X
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SIT8008BI-83-XXS-24.000000X
- Κατασκευαστής:
- SiTime
- Περιγραφή:
- OSC MEMS 24.0000MHZ LVCMOS SMD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 30791 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- SIT8008BI-83-XXS-24.000000X.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | MEMS (Silicon) |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
| Shell Style: | 2.5 V ~ 3.3 V |
| Σειρά: | SiT8008B |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Πόλωση: | 4-SMD, No Lead |
| Παραγωγή: | Standby (Power Down) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 5 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | SIT8008BI-83-XXS-24.000000X |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Ανοχή συχνότητας: | ±50ppm |
| Συχνότητα - Υλοποίηση 1: | 4.3µA |
| Συχνότητα: | 24MHz |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 24MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.5 V ~ 3.3 V 4.5mA Standby (Power Down) |
| Περιγραφή: | OSC MEMS 24.0000MHZ LVCMOS SMD |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Max): | LVCMOS |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Απενεργοποίηση) (Max): | 4.5mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SIT8008BI-83-XXS-24.000000X
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT8008BI-83-33S-40.000000Y | SiTIME | OSC MEMS 40.0000MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BI-83-33S-11.059200T | SiTime | OSC MEMS 11.0592MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
 |
SIT8008BIA1-18S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM STBY | Έρευνα |
|
SIT8008BI-83-33S-25.000000Y | SiTime | OSC MEMS 25.0000MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BI-83-33S-80.000000Y | SiTime | OSC MEMS 80.0000MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BI-83-XXS-25.000000X | SiTime | OSC MEMS 25.0000MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BI-83-33S-40.000000T | SiTime | OSC MEMS 40.0000MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BI-83-33S-80.000000T | SiTime | OSC MEMS 80.0000MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BIA1-18E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BI-83-33E-81.920000Y | SiTIME | OSC MEMS 81.9200MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BI-83-XXS-100.000000Y | SiTime | OSC MEMS 100.0000MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BI-83-XXS-48.000000X | SiTime | OSC MEMS 48.0000MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BI-83-XXS-24.000000Y | SiTime | OSC MEMS 24.0000MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BIA1-25E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BI-83-XXS-50.000000X | SiTime | OSC MEMS 50.0000MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BI-83-33S-16.384000Y | SiTime | OSC MEMS 16.3840MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BIA1-25N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BIA1-18N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BI-83-XXS-27.000000X | SiTime | OSC MEMS 27.0000MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
|
SIT8008BI-83-33S-11.059200Y | SiTIME | OSC MEMS 11.0592MHZ LVCMOS SMD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί