Το SIT2025BERS1-25N είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SIT2025BERS1-25N, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SIT2025BERS1-25N μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SIT2025BERS1-25N με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SIT2025BERS1-25N
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SIT2025BERS1-25N
- Κατασκευαστής:
- SiTime
- Περιγραφή:
- OSC PROG LVCMOS 2.5V 20PPM SMD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 49202 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- SIT2025BERS1-25N.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 2.5V |
| Τύπος: | XO (Standard) |
| Spread Spectrum Bandwidth: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.114" L x 0.063" W (2.90mm x 1.60mm) |
| Σειρά: | SIT2025B |
| Ακροαματικότητα: | AEC-Q100 |
| προγραμματιζόμενη Τύπος: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SC-74A, SOT-753 |
| Παραγωγή: | LVCMOS |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 105°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος: | 0.057" (1.45mm) |
| Λειτουργία: | - |
| Σταθερότητα Συχνότητας (Σύνολο): | ±20ppm |
| Σταθερότητα συχνότητας: | ±20ppm |
| Λεπτομερής περιγραφή: | XO (Standard) LVCMOS 115.2MHz ~ 137MHz Programmable Oscillator 2.5V SC-74A, SOT-753 |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Max): | 8mA |
| Βασικό συντονιστή: | MEMS |
| Διαθέσιμο φάσμα συχνοτήτων: | 115.2MHz ~ 137MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SIT2025BERS1-25N
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT2025BEFS1-30E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM EN/DS | Έρευνα |
|
SIT2025BERS1-28E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT2025BETS1-25N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT2025BETS1-18E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT2025BEFS1-33N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT2025BETS1-18N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT2025BEFS1-XXE | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5-3.3V EN/DS | Έρευνα |
|
SIT2025BERS1-25E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT2025BETS1-28N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT2025BETS1-28E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT2025BERS1-28N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT2025BERS1-30E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM EN/DS | Έρευνα |
|
SIT2025BEFS1-33E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT2025BERS1-18E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT2025BEFS1-28E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT2025BERS1-30N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT2025BEFS1-XXN | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5-3.3V 20PPM | Έρευνα |
|
SIT2025BETS1-25E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS SMD | Έρευνα |
|
SIT2025BEFS1-30N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT2025BEFS1-28N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM SMD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο