SIS322DNT-T1-GE3
SIS322DNT-T1-GE3
Αριθμός εξαρτήματος:
SIS322DNT-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
49182 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
SIS322DNT-T1-GE3.pdf

Εισαγωγή

Το SIS322DNT-T1-GE3 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SIS322DNT-T1-GE3, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SIS322DNT-T1-GE3 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SIS322DNT-T1-GE3 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Max):+20V, -16V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:PowerPAK® 1212-8
Σειρά:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7.5 mOhm @ 10A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:PowerPAK® 1212-8
Αλλα ονόματα:SIS322DNT-T1-GE3TR
SIS322DNTT1GE3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:32 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 15V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:21.5nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):30V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 30V 38.3A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:38.3A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις