SIA436DJ-T1-GE3
SIA436DJ-T1-GE3
Αριθμός εξαρτήματος:
SIA436DJ-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
25418 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
SIA436DJ-T1-GE3.pdf

Εισαγωγή

Το SIA436DJ-T1-GE3 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SIA436DJ-T1-GE3, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SIA436DJ-T1-GE3 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SIA436DJ-T1-GE3 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:800mV @ 250µA
Vgs (Max):±5V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:PowerPAK® SC-70-6 Single
Σειρά:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9.4 mOhm @ 15.7A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max):3.5W (Ta), 19W (Tc)
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:PowerPAK® SC-70-6
Αλλα ονόματα:SIA436DJ-T1-GE3TR
SIA436DJT1GE3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:1508pF @ 4V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:25.2nC @ 5V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):8V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 8V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις