Το SF10FG-T είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SF10FG-T, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SF10FG-T μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SF10FG-T με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SF10FG-T
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SF10FG-T
- Κατασκευαστής:
- Diodes Incorporated
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 300V 1A DO41
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 40081 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- SF10FG-T.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.3V @ 1A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 300V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DO-41 |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 40ns |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -65°C ~ 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 300V 1A Through Hole DO-41 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 10µA @ 300V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 1A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 75pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SF10FG-T
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
SF10BG-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 | Έρευνα |
 |
SF10CG-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
SF10DG-A | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 | Έρευνα |
|
SF10CG-A | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 150V 1A DO41 | Έρευνα |
 |
SF11-AP | Micro Commercial Components (MCC) | DIODE GPP SUPER FAST 1A DO-41 | Έρευνα |
|
SF10JG-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
SF10HG-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 500V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
SF10FG-A | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 300V 1A DO41 | Έρευνα |
|
SF10GG-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 | Έρευνα |
|
SF10DG-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 | Έρευνα |
|
SF10CG-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 150V 1A DO41 | Έρευνα |
|
SF10BG-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
SF10JG-A | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 | Έρευνα |
|
SF10FG-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 300V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
SF10HG-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 500V 1A DO41 | Έρευνα |
|
SF10GG-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
SF10JG-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 | Έρευνα |
|
SF10GG-A | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 | Έρευνα |
|
SF10HG-A | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 500V 1A DO41 | Έρευνα |
|
SF10DG-B | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο