Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > RV2C014BCT2CL
RV2C014BCT2CL
RV2C014BCT2CL
Αριθμός εξαρτήματος:
RV2C014BCT2CL
Κατασκευαστής:
LAPIS Semiconductor
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
25350 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
RV2C014BCT2CL.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το RV2C014BCT2CL είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την RV2C014BCT2CL, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το RV2C014BCT2CL μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε RV2C014BCT2CL με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 100µA
Vgs (Max):±8V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:DFN1006-3
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:300 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max):400mW (Ta)
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:3-XFDFN
Αλλα ονόματα:RV2C014BCT2CLTR
Θερμοκρασία λειτουργίας:150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:10 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:100pF @ 10V
FET Τύπος:P-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):20V
Λεπτομερής περιγραφή:P-Channel 20V 700mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:700mA (Ta)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για RV2C014BCT2CL

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
RV2C010UNT2L Image RV2C010UNT2L LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 20V 1A VML1006 Έρευνα
RV2H-2G-D60-C1D2 Image RV2H-2G-D60-C1D2 IDEC RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 60V Έρευνα
RV2C001ZPT2L Image RV2C001ZPT2L LAPIS Semiconductor MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006 Έρευνα
RV2512JK-074M7L Image RV2512JK-074M7L Yageo RES SMD 4.7M OHM 5% 1W 2512 Έρευνα
RV2010JK-071ML Image RV2010JK-071ML Yageo RES SMD 1M OHM 5% 3/4W 2010 Έρευνα
RV2010JK-073ML Image RV2010JK-073ML Yageo RES SMD 3M OHM 5% 3/4W 2010 Έρευνα
RV2512JK-0710ML Image RV2512JK-0710ML Yageo RES SMD 10M OHM 5% 1W 2512 Έρευνα
RV2H-2G-D12-C1D2 Image RV2H-2G-D12-C1D2 IDEC RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 12V Έρευνα
RV2512JK-076M8L Image RV2512JK-076M8L Yageo RES SMD 6.8M OHM 5% 1W 2512 Έρευνα
RV2H-2G-D110-C1D2 Image RV2H-2G-D110-C1D2 IDEC RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 110V Έρευνα
RV2010FK-07402KL Image RV2010FK-07402KL Yageo RES SMD 402K OHM 1% 3/4W 2010 Έρευνα
RV2H-2G-D9-C1D2 Image RV2H-2G-D9-C1D2 IDEC RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 8A 9V Έρευνα
RV2C002UNT2L Image RV2C002UNT2L LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006 Έρευνα
RV2H-2G-D24-C1D2 Image RV2H-2G-D24-C1D2 IDEC RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 24V Έρευνα
RV2H-2G-D48-C1D2 Image RV2H-2G-D48-C1D2 IDEC RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 48V Έρευνα
RV2512JK-0715ML Image RV2512JK-0715ML Yageo RES SMD 15M OHM 5% 1W 2512 Έρευνα
RV2512JK-075M6L Image RV2512JK-075M6L Yageo RES SMD 5.6M OHM 5% 1W 2512 Έρευνα
RV2H-2G-D5-C1D2 Image RV2H-2G-D5-C1D2 IDEC RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 8A 5V Έρευνα
RV2H-2G-D18-C1D2 Image RV2H-2G-D18-C1D2 IDEC RELAY GEN PURPOSE DPDT 8A 18V Έρευνα
RV2010JK-0710ML Image RV2010JK-0710ML Yageo RES SMD 10M OHM 5% 3/4W 2010 Έρευνα

Latest Ειδήσεις