Το RS80E821MDNASQ είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την RS80E821MDNASQ, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το RS80E821MDNASQ μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε RS80E821MDNASQ με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
RS80E821MDNASQ
- Αριθμός εξαρτήματος:
- RS80E821MDNASQ
- Κατασκευαστής:
- Nichicon
- Περιγραφή:
- CAP ALUM POLY 820UF 20% 2.5V T/H
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 58274 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.RS80E821MDNASQ.pdf2.RS80E821MDNASQ.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 2.5V |
| Τύπος: | Polymer |
| Ανοχή: | ±20% |
| Surface Mount Οικόπεδο: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.248" Dia (6.30mm) |
| Σειρά: | FPCAP, RS8 |
| Ρεύμα ρεύματος @ χαμηλής συχνότητας: | 560mA @ 120Hz |
| Έλξη ρεύματος @ Υψηλή συχνότητα: | 5.6A @ 100kHz |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial, Can |
| Αλλα ονόματα: | 493-16593 RS80E821MDNASQ-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 105°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 18 Weeks |
| Ισόβια @ Temp.: | 5000 Hrs @ 105°C |
| μόλυβδος Απόσταση: | 0.098" (2.50mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.354" (9.00mm) |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 7 mOhm |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 820µF 2.5V Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can 7 mOhm 5000 Hrs @ 105°C |
| χωρητικότητα: | 820µF |
| εφαρμογές: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για RS80E821MDNASQ
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
RS80E561MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RS80E821MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 820UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
 |
RS80E561MDN1JT | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RS80G561MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 4V T/H | Έρευνα |
|
RS80J331MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 330UF 20% 6.3V T/H | Έρευνα |
|
RS80E471MDNASQPX | Nichicon | CAP ALUM POLY 470UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RS80E821MDNASQJT | Nichicon | CAP ALUM POLY 820UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RS80G561MDNASQPX | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 4V T/H | Έρευνα |
|
RS80E561MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RS80E821MDNASQPX | Nichicon | CAP ALUM POLY 820UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RS80J331MDN1JT | Nichicon | CAP ALUM POLY 330UF 20% 6.3V T/H | Έρευνα |
|
RS80E561MDNASQ | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RS80E561MDNASQJT | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RS80E821MDN1JT | Nichicon | CAP ALUM POLY 820UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RS80E821MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 820UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RS80G561MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 4V T/H | Έρευνα |
|
RS80G561MDN1JT | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 4V T/H | Έρευνα |
|
RS80G561MDNASQJT | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 4V T/H | Έρευνα |
|
RS80E561MDNASQPX | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RS80G561MDNASQ | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 4V T/H | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο