Το RR2L6STE25 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την RR2L6STE25, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το RR2L6STE25 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε RR2L6STE25 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
RR2L6STE25
- Αριθμός εξαρτήματος:
- RR2L6STE25
- Κατασκευαστής:
- LAPIS Semiconductor
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 56722 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- RR2L6STE25.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.1V @ 2A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 600V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | PMDS |
| Ταχύτητα: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | DO-214AC, SMA |
| Αλλα ονόματα: | RR2L6STE25TR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 150°C (Max) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 600V 2A Surface Mount PMDS |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 10µA @ 600V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 2A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για RR2L6STE25
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
RR2L6SDDTE25 | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS | Έρευνα |
 |
RR2P-UAC240V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 240V | Έρευνα |
|
RR2P-UAC6V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 6V | Έρευνα |
 |
RR2LAM6STFTR | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 2A PMDTM | Έρευνα |
|
RR2L4STE25 | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 2A PMDS | Έρευνα |
|
RR2LAM6STR | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 2A PMDTM | Έρευνα |
|
RR2P-UAC100V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 100V | Έρευνα |
|
RR2LAM4STFTR | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 2A PMDTM | Έρευνα |
|
RR2P-UAC120V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 120V | Έρευνα |
|
RR2LAM4STR | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 2A PMDTM | Έρευνα |
 |
RR2KP-UDC110V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 110V | Έρευνα |
|
RR2L4SDDTE25 | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 2A PMDS | Έρευνα |
|
RR2KP-UDC6V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 6V | Έρευνα |
|
RR2KP-UAC24V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 24V | Έρευνα |
|
RR2KP-UDC24V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 24V | Έρευνα |
|
RR2KP-UDC12V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 12V | Έρευνα |
|
RR2KP-UAC6V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 6V | Έρευνα |
|
RR2P-UAC50V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 50V | Έρευνα |
|
RR2KP-UDC48V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 48V | Έρευνα |
|
RR2P-UAC24V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 24V | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED