Το RNC55H2322FRBSL είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την RNC55H2322FRBSL, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το RNC55H2322FRBSL μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε RNC55H2322FRBSL με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
RNC55H2322FRBSL
- Αριθμός εξαρτήματος:
- RNC55H2322FRBSL
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- RES 23.2K OHM 1/8W 1% AXIAL
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 32237 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- RNC55H2322FRBSL.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση Αξιολόγηση - AC: | R (0.01%) |
| Τάσης - Εργασίας: | 0.125W, 1/8W |
| Τάσης - Ανάλυση: | Axial |
| Πάχος (Max): | ±50ppm/°C |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.094" Dia x 0.250" L (2.39mm x 6.35mm) |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55 |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Πόλωση: | Axial |
| Άλλα ονόματα: | RNC55H2322FRBSL-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -65°C ~ 175°C |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | RNC55H2322FRBSL |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | - |
| Χαρακτηριστικά: | Military, Moisture Resistant, Weldable |
| FIFO του: | 2 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 23.2k Ohm ±1% 0.125W, 1/8W Through Hole Resistor Axial Military, Moisture Resistant, Weldable Metal Film |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | ±1% |
| Περιγραφή: | RES 23.2K OHM 1/8W 1% AXIAL |
| Επίστρωση, Στέγαση Τύπος: | Metal Film |
| εύρος ζώνης: | 23.2k |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για RNC55H2322FRBSL
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
RNC55H2323BSBSL | Dale / Vishay | RES 232K OHM 1/8W .1% AXIAL | Έρευνα |
|
RNC55H2322BSRE6 | Dale / Vishay | RES 23.2K OHM 1/8W .1% AXIAL | Έρευνα |
|
RNC55H2322BSRSL | Dale / Vishay | RES 23.2K OHM 1/8W .1% AXIAL | Έρευνα |
|
RNC55H2323BSB14 | Dale / Vishay | RES 232K OHM 1/8W .1% AXIAL | Έρευνα |
|
RNC55H2322FRRE6 | Dale / Vishay | RES 23.2K OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RNC55H2322BRBSL | Dale / Vishay | RES 23.2K OHM 1/8W .1% AXIAL | Έρευνα |
|
RNC55H2322FPB14 | Dale / Vishay | RES 23.2K OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RNC55H2322BRRSL | Dale / Vishay | RES 23.2K OHM 1/8W .1% AXIAL | Έρευνα |
|
RNC55H2322FPBSL | Vishay Dale | RES 23.2K OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RNC55H2322FRB14 | Dale / Vishay | RES 23.2K OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RNC55H2322FSRSL | Dale / Vishay | RES 23.2K OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RNC55H2322FSR36 | Dale / Vishay | RES 23.2K OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RNC55H2322FRRSL | Dale / Vishay | RES 23.2K OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RNC55H2322FSB14 | Dale / Vishay | RES 23.2K OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RNC55H2322FPRSL | Dale / Vishay | RES 23.2K OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RNC55H2322FSBSL | Vishay Dale | RES 23.2K OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
|
RNC55H2322BSB14 | Dale / Vishay | RES 23.2K OHM 1/8W .1% AXIAL | Έρευνα |
|
RNC55H2322BSBSL | Dale / Vishay | RES 23.2K OHM 1/8W .1% AXIAL | Έρευνα |
|
RNC55H2323BMB14 | Dale / Vishay | RES 232K OHM 1/8W .1% AXIAL | Έρευνα |
|
RNC55H2322FSRE6 | Dale / Vishay | RES 23.2K OHM 1/8W 1% AXIAL | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική