Το RFUH20NS6SFHTL είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την RFUH20NS6SFHTL, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το RFUH20NS6SFHTL μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε RFUH20NS6SFHTL με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
RFUH20NS6SFHTL
- Αριθμός εξαρτήματος:
- RFUH20NS6SFHTL
- Κατασκευαστής:
- LAPIS Semiconductor
- Περιγραφή:
- FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 46683 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.RFUH20NS6SFHTL.pdf2.RFUH20NS6SFHTL.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 2.8V @ 20A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 600V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | LPDS |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | Automotive, AEC-Q101 |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 35ns |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Αλλα ονόματα: | RFUH20NS6SFHTLTR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 150°C (Max) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 600V 20A Surface Mount LPDS |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 10µA @ 600V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 20A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 315pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για RFUH20NS6SFHTL
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
RFUS20TM4S | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 430V 20A TO220NFM | Έρευνα |
 |
RFUH30TS6SGC11 | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 15A TO247 | Έρευνα |
|
RFUH30TS6DGC11 | LAPIS Semiconductor | DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247 | Έρευνα |
 |
RFUS10TF4S | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 430V 10A TO220NFM | Έρευνα |
 |
RFU02VSM8STR | LAPIS Semiconductor | DIODE GP 800V 200MA TUMD2SM | Έρευνα |
 |
RFUH10NS4STL | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 430V 10A LPDS | Έρευνα |
|
RFU20TM5S | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 530V 20A TO220NFM | Έρευνα |
|
RFU02VSM6STR | LAPIS Semiconductor | DIODE GP 600V 200MA TUMD2SM | Έρευνα |
|
RFUS20TF6S | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM | Έρευνα |
|
RFUH20NS6STL | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS | Έρευνα |
|
RFUH10NS6STL | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS | Έρευνα |
 |
RFUH10NS6SFHTL | LAPIS Semiconductor | FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND | Έρευνα |
|
RFUH10NS4SFHTL | LAPIS Semiconductor | FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND | Έρευνα |
|
RFUS20NS4STL | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 430V 20A LPDS | Έρευνα |
|
RFUS20NS6STL | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS | Έρευνα |
|
RFU10TF6S | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM | Έρευνα |
 |
RFU5TF6S | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 5A TO220NFM | Έρευνα |
|
RFUH10TF6S | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM | Έρευνα |
|
RFUH20TF6S | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM | Έρευνα |
|
RFUH20TB4S | LAPIS Semiconductor | DIODE GEN PURP 430V 20A TO220FN | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί