Το RF80G331MDN1PX είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την RF80G331MDN1PX, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το RF80G331MDN1PX μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε RF80G331MDN1PX με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
RF80G331MDN1PX
- Αριθμός εξαρτήματος:
- RF80G331MDN1PX
- Κατασκευαστής:
- Nichicon
- Περιγραφή:
- CAP ALUM POLY 330UF 20% 4V T/H
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 30013 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.RF80G331MDN1PX.pdf2.RF80G331MDN1PX.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 4V |
| Τύπος: | Polymer |
| Ανοχή: | ±20% |
| Surface Mount Οικόπεδο: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.197" Dia (5.00mm) |
| Σειρά: | FPCAP, RF8 |
| Ρεύμα ρεύματος @ χαμηλής συχνότητας: | 400mA @ 120Hz |
| Έλξη ρεύματος @ Υψηλή συχνότητα: | 4A @ 100kHz |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Box (TB) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial, Can |
| Αλλα ονόματα: | 493-3808-2 493-3808-2-ND 493-3808-3 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 105°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 18 Weeks |
| Ισόβια @ Temp.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| μόλυβδος Απόσταση: | 0.197" (5.00mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.315" (8.00mm) |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 8 mOhm |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 330µF 4V Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can 8 mOhm 2000 Hrs @ 105°C |
| χωρητικότητα: | 330µF |
| εφαρμογές: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για RF80G331MDN1PX
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
RF80G331MDN1JT | Nichicon | CAP ALUM POLY 330UF 20% 4V T/H | Έρευνα |
|
RF80E331MDN1JT | Nichicon | CAP ALUM POLY 330UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RF80J271MDN1JT | Nichicon | CAP ALUM POLY 270UF 20% 6.3V T/H | Έρευνα |
|
RF80E331MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 330UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RF80E561MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RF80E101MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 100UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RF80G331MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 330UF 20% 4V T/H | Έρευνα |
|
RF80E331MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 330UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
 |
RF80J331MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 330UF 20% 6.3V T/H | Έρευνα |
|
RF80E471MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 470UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RF80E561MDN1JT | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RF80E101MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 100UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RF80E561MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 560UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RF80E101MDN1JT | Nichicon | CAP ALUM POLY 100UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RF80J331MDN1JT | Nichicon | CAP ALUM POLY 330UF 20% 6.3V T/H | Έρευνα |
|
RF80E471MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 470UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RF80E471MDN1JT | Nichicon | CAP ALUM POLY 470UF 20% 2.5V T/H | Έρευνα |
|
RF80J271MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 270UF 20% 6.3V T/H | Έρευνα |
|
RF80J271MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 270UF 20% 6.3V T/H | Έρευνα |
|
RF80J331MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 330UF 20% 6.3V T/H | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash