Το RCP1206B12R0GED είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την RCP1206B12R0GED, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το RCP1206B12R0GED μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε RCP1206B12R0GED με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
RCP1206B12R0GED
- Αριθμός εξαρτήματος:
- RCP1206B12R0GED
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- RES SMD 12 OHM 2% 11W 1206
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 27703 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- RCP1206B12R0GED.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση Αξιολόγηση - AC: | - |
| Τάσης - Εργασίας: | 11W |
| Τάσης - Ανάλυση: | 1206 |
| Πάχος (Max): | ±150ppm/°C |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.122" L x 0.060" W (3.10mm x 1.52mm) |
| Σειρά: | RCP |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Πόλωση: | 1206 (3216 Metric) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 155°C |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 9 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | RCP1206B12R0GED |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.025" (0.64mm) |
| Χαρακτηριστικά: | Moisture Resistant |
| FIFO του: | 2 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 12 Ohm ±2% 11W Chip Resistor 1206 (3216 Metric) Moisture Resistant Thick Film |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | ±2% |
| Περιγραφή: | RES SMD 12 OHM 2% 11W 1206 |
| Επίστρωση, Στέγαση Τύπος: | Thick Film |
| εύρος ζώνης: | 12 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για RCP1206B12R0GED
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
RCP1206B12R0JEB | Dale / Vishay | RES SMD 12 OHM 5% 2.4W 1206 | Έρευνα |
|
RCP1206B120RJTP | Dale / Vishay | RES SMD 120 OHM 5% 2.4W 1206 | Έρευνα |
|
RCP1206B12R0JEA | Dale / Vishay | RES SMD 12 OHM 5% 2.4W 1206 | Έρευνα |
|
RCP1206B12R0GS3 | Dale / Vishay | RES SMD 12 OHM 2% 2.4W 1206 | Έρευνα |
|
RCP1206B12R0GS2 | Dale / Vishay | RES SMD 12 OHM 2% 2.4W 1206 | Έρευνα |
|
RCP1206B12R0JEC | Dale / Vishay | RES SMD 12 OHM 5% 2.4W 1206 | Έρευνα |
|
RCP1206B12R0GEB | Dale / Vishay | RES SMD 12 OHM 2% 2.4W 1206 | Έρευνα |
|
RCP1206B12R0GET | Dale / Vishay | RES SMD 12 OHM 2% 2.4W 1206 | Έρευνα |
|
RCP1206B12R0GWB | Dale / Vishay | RES SMD 12 OHM 2% 2.4W 1206 | Έρευνα |
|
RCP1206B120RJED | Vishay Dale | RES SMD 120 OHM 5% 11W 1206 | Έρευνα |
|
RCP1206B120RJET | Dale / Vishay | RES SMD 120 OHM 5% 2.4W 1206 | Έρευνα |
|
RCP1206B12R0GEC | Dale / Vishay | RES SMD 12 OHM 2% 2.4W 1206 | Έρευνα |
|
RCP1206B12R0GEA | Dale / Vishay | RES SMD 12 OHM 2% 2.4W 1206 | Έρευνα |
|
RCP1206B120RJS3 | Dale / Vishay | RES SMD 120 OHM 5% 2.4W 1206 | Έρευνα |
|
RCP1206B120RJWB | Dale / Vishay | RES SMD 120 OHM 5% 2.4W 1206 | Έρευνα |
|
RCP1206B12R0GTP | Dale / Vishay | RES SMD 12 OHM 2% 2.4W 1206 | Έρευνα |
|
RCP1206B120RJS2 | Dale / Vishay | RES SMD 120 OHM 5% 2.4W 1206 | Έρευνα |
|
RCP1206B12R0GS6 | Vishay Dale | RES SMD 12 OHM 2% 11W 1206 | Έρευνα |
|
RCP1206B120RJS6 | Vishay Dale | RES SMD 120 OHM 5% 11W 1206 | Έρευνα |
|
RCP1206B12R0JED | Vishay Dale | RES SMD 12 OHM 5% 11W 1206 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική