Το RCL122510R0FKEG είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την RCL122510R0FKEG, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το RCL122510R0FKEG μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε RCL122510R0FKEG με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
RCL122510R0FKEG
- Αριθμός εξαρτήματος:
- RCL122510R0FKEG
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- RES SMD 10 OHM 2W 2512 WIDE
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 43554 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- RCL122510R0FKEG.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Ανοχή: | ±1% |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | ±100ppm/°C |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 1225 |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.126" L x 0.248" W (3.20mm x 6.30mm) |
| Σειρά: | RCL |
| Λειτουργία του πίνακα: | 10 Ohms |
| Ισχύς (Watts): | 2W |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Wide 2512 (6432 Metric), 1225 |
| Αλλα ονόματα: | RCL10.0ETR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 155°C |
| Αριθμός Απολύσεις: | 2 |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.032" (0.80mm) |
| Χαρακτηριστικά: | Automotive AEC-Q200 |
| Ποσοστό αποτυχίας: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 10 Ohms ±1% 2W Chip Resistor Wide 2512 (6432 Metric), 1225 Automotive AEC-Q200 Thick Film |
| Σύνθεση: | Thick Film |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για RCL122510R0FKEG
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
RCL1225113RFKEG | Dale / Vishay | RES SMD 113 OHM 2W 2512 WIDE | Έρευνα |
|
RCL122510K0FKEG | Dale / Vishay | RES SMD 10K OHM 2W 2512 WIDE | Έρευνα |
|
RCL122510R2FKEG | Vishay Dale | RES SMD 10.2 OHM 2W 2512 WIDE | Έρευνα |
|
RCL122510R5FKEG | Vishay Dale | RES SMD 10.5 OHM 2W 2512 WIDE | Έρευνα |
|
RCL1225110RJNEG | Dale / Vishay | RES SMD 110 OHM 2W 2512 WIDE | Έρευνα |
|
RCL1225110KJNEG | Dale / Vishay | RES SMD 110K OHM 2W 2512 WIDE | Έρευνα |
|
RCL122510K0JNEG | Dale / Vishay | RES SMD 10K OHM 2W 2512 WIDE | Έρευνα |
|
RCL1225105KFKEG | Dale / Vishay | RES SMD 105K OHM 2W 2512 WIDE | Έρευνα |
|
RCL122510R0JNEG | Dale / Vishay | RES SMD 10 OHM 2W 2512 WIDE | Έρευνα |
|
RCL1225113KFKEG | Dale / Vishay | RES SMD 113K OHM 2W 2512 WIDE | Έρευνα |
|
RCL122510K2FKEG | Dale / Vishay | RES SMD 10.2K OHM 2W 2512 WIDE | Έρευνα |
|
RCL122510K5FKEG | Dale / Vishay | RES SMD 10.5K OHM 2W 2512 WIDE | Έρευνα |
|
RCL1225102RFKEG | Dale / Vishay | RES SMD 102 OHM 2W 2512 WIDE | Έρευνα |
|
RCL1225107RFKEG | Dale / Vishay | RES SMD 107 OHM 2W 2512 WIDE | Έρευνα |
|
RCL122510R7FKEG | Vishay Dale | RES SMD 10.7 OHM 2W 2512 WIDE | Έρευνα |
|
RCL1225105RFKEG | Dale / Vishay | RES SMD 105 OHM 2W 2512 WIDE | Έρευνα |
|
RCL1225110KFKEG | Dale / Vishay | RES SMD 110K OHM 2W 2512 WIDE | Έρευνα |
|
RCL1225110RFKEG | Dale / Vishay | RES SMD 110 OHM 2W 2512 WIDE | Έρευνα |
|
RCL1225107KFKEG | Dale / Vishay | RES SMD 107K OHM 2W 2512 WIDE | Έρευνα |
|
RCL122510K7FKEG | Dale / Vishay | RES SMD 10.7K OHM 2W 2512 WIDE | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC