Το R6221640ESOO είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την R6221640ESOO, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το R6221640ESOO μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε R6221640ESOO με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
R6221640ESOO
- Αριθμός εξαρτήματος:
- R6221640ESOO
- Κατασκευαστής:
- Powerex, Inc.
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 1.6KV 400A DO200
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 50698 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- R6221640ESOO.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 2V @ 800A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 1600V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DO-200AB, B-PUK |
| Ταχύτητα: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 1µs |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | DO-200AB, B-PUK |
| Αλλα ονόματα: | 835-1052 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -40°C ~ 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 12 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 1600V 400A Surface Mount DO-200AB, B-PUK |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 50mA @ 1600V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 400A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για R6221640ESOO
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
R6221055ESOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 1KV 550A DO200AA R62 | Έρευνα |
|
R6221230PSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 1.2KV 300A DO200AA R62 | Έρευνα |
|
R6220440HSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 400V 400A DO200AA R62 | Έρευνα |
|
R6220655ESOO | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 550A DO200AA | Έρευνα |
|
R6220240HSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 200V 400A DO200AA R62 | Έρευνα |
|
R6221030PSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 1KV 300A DO200AA R62 | Έρευνα |
|
R6220840HSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 800V 400A DO200AA R62 | Έρευνα |
|
R6221040HSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 1KV 400A DO200AA R62 | Έρευνα |
|
R6221240HSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 1.2KV 400A DO200AA R62 | Έρευνα |
|
R6220455ESOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 400V 550A DO200AA R62 | Έρευνα |
|
R6220855ESOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 800V 550A DO200AA R62 | Έρευνα |
|
R6220630PSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 600V 300A DO200AA R62 | Έρευνα |
|
R6220230PSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 200V 300A DO200AA R62 | Έρευνα |
|
R6221440HSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 1.4KV 400A DO200AA R62 | Έρευνα |
|
R6220430PSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 400V 300A DO200AA R62 | Έρευνα |
|
R6221455ESOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 1.4KV 550A DO200AA R62 | Έρευνα |
|
R6220830PSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 800V 300A DO200AA R62 | Έρευνα |
|
R6220255ESOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 200V 550A DO200AA R62 | Έρευνα |
|
R6221255ESOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 1.2KV 550A DO200AA R62 | Έρευνα |
|
R6220640HSOO | Powerex, Inc. | DIODE GP 600V 400A DO200AA R62 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC