Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > R6035ENZ1C9
R6035ENZ1C9
R6035ENZ1C9
Αριθμός εξαρτήματος:
R6035ENZ1C9
Κατασκευαστής:
LAPIS Semiconductor
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
47459 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
R6035ENZ1C9.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το R6035ENZ1C9 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την R6035ENZ1C9, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το R6035ENZ1C9 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε R6035ENZ1C9 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-247
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:102 mOhm @ 18.1A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):120W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:17 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:2720pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:110nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):600V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 600V 35A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για R6035ENZ1C9

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
R6031035ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205 Έρευνα
R6035ENZC8 Image R6035ENZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF Έρευνα
R6046ANZ1C9 Image R6046ANZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 46A TO247 Έρευνα
R6030MNX Image R6030MNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM Έρευνα
R6031025HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205 Έρευνα
R6076MNZ1C9 Image R6076MNZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247 Έρευνα
R6030KNZC8 Image R6030KNZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF Έρευνα
R6046ANZC8 Image R6046ANZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF Έρευνα
R6031435ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205 Έρευνα
R6031235ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205 Έρευνα
R6035KNZ1C9 Image R6035KNZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247 Έρευνα
R6031022PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205 Έρευνα
R6046FNZ1C9 Image R6046FNZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 46A TO247 Έρευνα
R6035KNZC8 Image R6035KNZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF Έρευνα
R6076ENZ1C9 Image R6076ENZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 76A TO247 Έρευνα
R6046FNZC8 Image R6046FNZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 46A TO-3PF Έρευνα
R6031425HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 Έρευνα
R6047ENZ1C9 Image R6047ENZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 47A TO247 Έρευνα
R6031222PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205 Έρευνα
R6031225HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 Έρευνα

Latest Ειδήσεις