Το PSMN6R4-30MLDX είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PSMN6R4-30MLDX, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PSMN6R4-30MLDX μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PSMN6R4-30MLDX με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PSMN6R4-30MLDX
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PSMN6R4-30MLDX
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 30V MLFP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 57035 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PSMN6R4-30MLDX.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | LFPAK33 |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.3 mOhm @ 15A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 51W (Tc) |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) |
| Αλλα ονόματα: | 1727-2219-1 568-12473-1 568-12473-1-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 832pF @ 15V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 13.7nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 30V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 30V 66A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount LFPAK33 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 66A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PSMN6R4-30MLDX
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PSMN6R0-25YLB,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 25V 73A LL LFPAK | Έρευνα |
 |
PSMN7R0-100PS,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB | Έρευνα |
|
PSMN6R0-30YLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 7A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN6R9-100YSFX | Nexperia | PSMN6R9-100YSF/SOT669/LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN6R5-80PS,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 80V TO220AB | Έρευνα |
 |
PSMN7R0-100BS,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK | Έρευνα |
 |
PSMN6R5-30MLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V MLFP | Έρευνα |
 |
PSMN7R0-100XS,127 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 100V 55A TO220F | Έρευνα |
 |
PSMN7R0-100ES,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 100V I2PAK | Έρευνα |
|
PSMN6R0-30YLB,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN6R5-25YLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 25V 64A LL LFPAK | Έρευνα |
 |
PSMN6R1-25MLDX | Nexperia | PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q | Έρευνα |
|
PSMN6R5-80BS,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK | Έρευνα |
|
PSMN6R0-25YLDX | Nexperia | PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 | Έρευνα |
|
PSMN6R1-30YLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK | Έρευνα |
 |
PSMN6R9-100YSFQ | Nexperia | PSMN6R9-100YSF/SOT669/LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN5R9-30YL,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 30V 78A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN6R0-30YL,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK | Έρευνα |
|
PSMN6R3-120PS | Nexperia | MOSFET N-CH 120V 70A TO-220 | Έρευνα |
|
PSMN6R3-120ESQ | Nexperia | MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί