Το PMV55ENEAR είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PMV55ENEAR, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PMV55ENEAR μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PMV55ENEAR με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PMV55ENEAR
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PMV55ENEAR
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 60V TO-236AB
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 41172 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PMV55ENEAR.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.7V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-236AB (SOT23) |
| Σειρά: | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 478mW (Ta), 8.36W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Αλλα ονόματα: | 1727-2534-2 568-12973-2-ND 934068714215 PMV55ENEAR-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 646pF @ 30V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 60V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 60V 3.1A (Ta) 478mW (Ta), 8.36W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 3.1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PMV55ENEAR
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PMV65XPER | Nexperia | MOSFET P-CH 20V SOT23 | Έρευνα |
 |
PMV65UN,215 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23 | Έρευνα |
|
PMV48XP,215 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 | Έρευνα |
|
PMV65UNEAR | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB | Έρευνα |
|
PMV65XPEAR | Nexperia | MOSFET P-CH 20V SOT23 | Έρευνα |
|
PMV60EN,215 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23 | Έρευνα |
 |
PMV50UPEVL | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB | Έρευνα |
|
PMV65XP/MIR | Nexperia | MOSFET P-CH 20V SOT23 | Έρευνα |
|
PMV50EPEAR | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB | Έρευνα |
|
PMV50UPE,215 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB | Έρευνα |
|
PMV56XN,215 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23 | Έρευνα |
|
PMV48XPAR | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 | Έρευνα |
|
PMV65XP,215 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 | Έρευνα |
|
PMV48XP/MIR | Nexperia | MOSFET P-CH 20V SOT23 | Έρευνα |
|
PMV48XPVL | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB | Έρευνα |
|
PMV50ENEAR | Nexperia | MOSFET N-CH 30V TO-236AB | Έρευνα |
|
PMV50XPR | Nexperia | MOSFET P-CH 20V SOT23 | Έρευνα |
 |
PMV65UNER | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB | Έρευνα |
|
PMV65ENEAR | Nexperia | MOSFET N-CH 20V TO-236AB | Έρευνα |
|
PMV45EN2VL | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS