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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > PMV55ENEAR
PMV55ENEAR
PMV55ENEAR
Modèle de produit:
PMV55ENEAR
Fabricant:
Nexperia
La description:
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
41172 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
PMV55ENEAR.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2.7V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-236AB (SOT23)
Séries:Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs:60 mOhm @ 3.1A, 10V
Dissipation de puissance (max):478mW (Ta), 8.36W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:1727-2534-2
568-12973-2-ND
934068714215
PMV55ENEAR-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:646pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 3.1A (Ta) 478mW (Ta), 8.36W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.1A (Ta)
Email:[email protected]

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