Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > PMV32UP/MIR
PMV32UP/MIR
Αριθμός εξαρτήματος:
PMV32UP/MIR
Κατασκευαστής:
Nexperia
Περιγραφή:
SMALL SIGNAL MOSFET
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
39134 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
PMV32UP/MIR.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το PMV32UP/MIR είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PMV32UP/MIR, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PMV32UP/MIR μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PMV32UP/MIR με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-236AB
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:36 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max):510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Αλλα ονόματα:934068502215
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:1890pF @ 10V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:15.5nC @ 4.5V
FET Τύπος:P-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):20V
Λεπτομερής περιγραφή:P-Channel 20V 4A (Ta) 510mW (Ta), 4.15W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για PMV32UP/MIR

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
PMV45EN,215 Image PMV45EN,215 NXP Semiconductors / Freescale MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23 Έρευνα
PMV37EN2R Image PMV37EN2R Nexperia MOSFET N-CH 30V SOT23 Έρευνα
PMV30UN,215 Image PMV30UN,215 NXP Semiconductors / Freescale MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23 Έρευνα
PMV40UN2R Image PMV40UN2R Nexperia MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23 Έρευνα
PMV28UNEAR Image PMV28UNEAR Nexperia MOSFET N-CH 20V TO-236AB Έρευνα
PMV32UP,215 Image PMV32UP,215 Nexperia MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 Έρευνα
PMV30XPEAR Image PMV30XPEAR Nexperia MOSFET P-CH 20V TO-236AB Έρευνα
PMV30XN,215 Image PMV30XN,215 NXP Semiconductors / Freescale MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 Έρευνα
PMV37EN,215 Image PMV37EN,215 NXP Semiconductors / Freescale MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23 Έρευνα
PMV45EN2R Image PMV45EN2R Nexperia MOSFET N-CH 30V SOT23 Έρευνα
PMV30UN2R Image PMV30UN2R Nexperia MOSFET N-CH 20V SOT23 Έρευνα
PMV450ENEAR Image PMV450ENEAR Nexperia MOSFET N-CH 60V TO-236AB Έρευνα
PMV35EPER Image PMV35EPER Nexperia MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB Έρευνα
PMV28UN,215 Image PMV28UN,215 NXP Semiconductors / Freescale MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23 Έρευνα
PMV40UN,215 Image PMV40UN,215 NXP Semiconductors / Freescale MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23 Έρευνα
PMV280ENEAR Image PMV280ENEAR Nexperia MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB Έρευνα
PMV31XN,215 Image PMV31XN,215 NXP Semiconductors / Freescale MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23 Έρευνα
PMV30UN2VL Nexperia MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB Έρευνα
PMV42ENER Image PMV42ENER Nexperia MOSFET N-CH 30V TO-236AB Έρευνα
PMV33UPE,215 Image PMV33UPE,215 Nexperia MOSFET P-CH 20V 4.4A TO-236AB Έρευνα

Latest Ειδήσεις