Το PMEG4002ELD,315 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PMEG4002ELD,315, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PMEG4002ELD,315 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PMEG4002ELD,315 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PMEG4002ELD,315
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PMEG4002ELD,315
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD882D
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 36287 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PMEG4002ELD,315.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 600mV @ 200mA |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 40V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DFN1006D-2 |
| Ταχύτητα: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 4ns |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 2-XDFN |
| Αλλα ονόματα: | 1727-5904-1 568-7532-1 568-7532-1-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 150°C (Max) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Schottky |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Schottky 40V 200mA Surface Mount DFN1006D-2 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 10µA @ 40V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 200mA |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 20pF @ 1V, 1MHz |
| Αριθμός μέρους βάσης: | PMEG4002 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PMEG4002ELD,315
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PMEG4002EL,315 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD882 | Έρευνα |
 |
PMEG3030BEP,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 3A SOD128 | Έρευνα |
 |
PMEG3020ER,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD123W | Έρευνα |
 |
PMEG4002EJ,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD323F | Έρευνα |
 |
PMEG3020EPASX | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOT1061 | Έρευνα |
|
PMEG3050BEP,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 5A SOD128 | Έρευνα |
 |
PMEG4005CT,215 | Nexperia | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23 | Έρευνα |
|
PMEG3050EP,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 5A SOD128 | Έρευνα |
 |
PMEG4005AEAZ | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323 | Έρευνα |
|
PMEG4005CEJX | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SC90 | Έρευνα |
|
PMEG4005AEA/8X | Nexperia | SCHOTTKY DIODE | Έρευνα |
 |
PMEG4005AEA,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323 | Έρευνα |
 |
PMEG4005AESFYL | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 0.5A SOD962 | Έρευνα |
|
PMEG4002ESFYL | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 0.2A SOD962 | Έρευνα |
|
PMEG4005CEAX | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323 | Έρευνα |
|
PMEG4005AEAF | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323 | Έρευνα |
 |
PMEG4002EB,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD523 | Έρευνα |
 |
PMEG4005AEV,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOT666 | Έρευνα |
|
PMEG3030EP,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 30V 3A SOD128 | Έρευνα |
|
PMEG4002AESFYL | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 0.2A SOD962 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC