Το PMBT3906MB,315 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PMBT3906MB,315, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PMBT3906MB,315 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PMBT3906MB,315 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PMBT3906MB,315
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PMBT3906MB,315
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 23281 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PMBT3906MB,315.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 40V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 400mV @ 5mA, 50mA |
| transistor Τύπος: | PNP |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DFN1006B-3 |
| Σειρά: | Automotive, AEC-Q101 |
| Ισχύς - Max: | 250mW |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 3-XFDFN |
| Αλλα ονόματα: | 934065893315 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | 250MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 10mA, 1V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 500nA (ICBO) |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 200mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | PMBT3906 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PMBT3906MB,315
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PMBT3904,215 | Nexperia | TRANS NPN 40V 0.2A SOT23 | Έρευνα |
 |
PMBT3904VS,115 | Nexperia | TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT666 | Έρευνα |
|
PMBT3946VPN,115 | Nexperia | TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT666 | Έρευνα |
|
PMBT4401YSX | Nexperia | TRANS NPN 40V 0.6A SC-881 | Έρευνα |
 |
PMBT2907AYSX | Nexperia | TRANS PNP 60V 0.6A SC-88 | Έρευνα |
|
PMBT3906YS,115 | Nexperia | TRANS 2PNP 40V 0.2A 6TSSOP | Έρευνα |
|
PMBT3946YPN,125 | Nexperia | TRANS NPN/PNP 40V 0.2A 6TSSOP | Έρευνα |
|
PMBT3946YPN,115 | Nexperia | TRANS NPN/PNP 40V 0.2A 6TSSOP | Έρευνα |
|
PMBT3906VS,115 | Nexperia | TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT666 | Έρευνα |
|
PMBT3904,235 | Nexperia | TRANS NPN 40V 0.2A SOT23 | Έρευνα |
|
PMBT4401,215 | Nexperia | TRANS NPN 40V 0.6A SOT23 | Έρευνα |
 |
PMBT3904MB,315 | Nexperia | TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN | Έρευνα |
|
PMBT3904YS,115 | Nexperia | TRANS 2NPN 40V 0.2A 6TSSOP | Έρευνα |
|
PMBT4401,235 | Nexperia | TRANS NPN 40V 0.6A SOT23 | Έρευνα |
|
PMBT3906,235 | Nexperia | TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 | Έρευνα |
 |
PMBT3906M,315 | Nexperia | TRANS PNP 40V 0.2A SOT883 | Έρευνα |
|
PMBT3904M,315 | Nexperia | TRANS NPN 40V 0.2A SOT883 | Έρευνα |
|
PMBT4403,215 | Nexperia | TRANS PNP 40V 0.6A SOT23 | Έρευνα |
|
PMBT4401,185 | Nexperia | TRANS NPN 40V 600MA SOT236-3 | Έρευνα |
|
PMBT3906,215 | Nexperia | TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική