Το PDTA124ET,215 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PDTA124ET,215, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PDTA124ET,215 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PDTA124ET,215 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PDTA124ET,215
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PDTA124ET,215
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 25104 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PDTA124ET,215.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 50V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 10mA |
| transistor Τύπος: | PNP - Pre-Biased |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-236AB (SOT23) |
| Σειρά: | - |
| Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2): | 22 kOhms |
| Αντίσταση - Βάση (R1): | 22 kOhms |
| Ισχύς - Max: | 250mW |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Αλλα ονόματα: | 1727-5128-2 568-6426-2 568-6426-2-ND 934031070215 PDTA124ET T/R PDTA124ET T/R-ND PDTA124ET,215-ND PDTA124ET215 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 60 @ 5mA, 5V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 1µA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 100mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | PDTA124 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PDTA124ET,215
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PDTA124TK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 | Έρευνα |
 |
PDTA123YS,126 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 | Έρευνα |
 |
PDTA124EM,315 | Nexperia | TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 | Έρευνα |
 |
PDTA123YMB,315 | Nexperia | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN | Έρευνα |
 |
PDTA124TT,215 | Nexperia | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB | Έρευνα |
 |
PDTA124TE,115 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 | Έρευνα |
|
PDTA124EE,115 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 | Έρευνα |
|
PDTA123YT,215 | Nexperia | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB | Έρευνα |
|
PDTA124TM,315 | Nexperia | TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 | Έρευνα |
|
PDTA124ET,235 | Nexperia | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB | Έρευνα |
 |
PDTA124EQAZ | Nexperia | TRANS PREBIAS PNP 3DFN | Έρευνα |
 |
PDTA124TU,115 | Nexperia | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 | Έρευνα |
|
PDTA124ES,126 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 | Έρευνα |
|
PDTA124EK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 | Έρευνα |
|
PDTA124EMB,315 | Nexperia | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN | Έρευνα |
|
PDTA124TS,126 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 | Έρευνα |
|
PDTA124EU,135 | Nexperia | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 | Έρευνα |
|
PDTA123YU,115 | Nexperia | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 | Έρευνα |
|
PDTA124TMB,315 | Nexperia | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN | Έρευνα |
|
PDTA124EU,115 | Nexperia | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο