Το PBSS303PZ,135 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PBSS303PZ,135, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PBSS303PZ,135 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PBSS303PZ,135 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PBSS303PZ,135
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PBSS303PZ,135
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- TRANS PNP 30V 5.3A SOT223
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 57312 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PBSS303PZ,135.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 30V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 265mV @ 265mA, 5.3A |
| transistor Τύπος: | PNP |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOT-223 |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - Max: | 2W |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-261-4, TO-261AA |
| Αλλα ονόματα: | 1727-5730-1 568-7275-1 568-7275-1-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | 130MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 5.3A 130MHz 2W Surface Mount SOT-223 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 250 @ 1A, 2V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 100nA (ICBO) |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 5.3A |
| Αριθμός μέρους βάσης: | PBSS303P |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PBSS303PZ,135
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PBSS303NZ,135 | Nexperia | TRANS NPN 30V 5.5A SOT-223 | Έρευνα |
 |
PBSS302PDH | Nexperia | TRANS PNP 40V 4A 6TSOP | Έρευνα |
 |
PBSS304PX,115 | Nexperia | TRANS PNP 60V 4.2A SOT89 | Έρευνα |
|
PBSS303NX,115 | Nexperia | TRANS NPN 30V 5.1A SOT89 | Έρευνα |
|
PBSS304PZ,135 | Nexperia | TRANS PNP 60V 4.5A SOT223 | Έρευνα |
|
PBSS303PX,115 | Nexperia | TRANS PNP 30V 5.1A SOT89 | Έρευνα |
|
PBSS304PD,115 | Nexperia | TRANS PNP 80V 1A 6TSOP | Έρευνα |
|
PBSS303ND,115 | Nexperia | TRANS NPN 60V 1A 6TSOP | Έρευνα |
|
PBSS302NZ,135 | Nexperia | TRANS NPN 20V 5.8A SOT-223 | Έρευνα |
|
PBSS305ND,115 | Nexperia | TRANS NPN 100V 1A 6TSOP | Έρευνα |
|
PBSS305NZ,135 | Nexperia | TRANS NPN 80V 5.1A SOT-223 | Έρευνα |
|
PBSS302PX,115 | Nexperia | TRANS PNP 20V 5.1A SOT89 | Έρευνα |
|
PBSS302PZ,135 | Nexperia | TRANS PNP 20V 5.5A SOT-223 | Έρευνα |
|
PBSS304NX,115 | Nexperia | TRANS NPN 60V 4.7A SOT89 | Έρευνα |
 |
PBSS304NXZ | Nexperia | PBSS304NX/SOT89/MPT3 | Έρευνα |
|
PBSS303PD,115 | Nexperia | TRANS PNP 60V 1A 6TSOP | Έρευνα |
|
PBSS302PD,115 | Nexperia | TRANS PNP 40V 4A 6TSOP | Έρευνα |
|
PBSS304ND,115 | Nexperia | TRANS NPN 80V 1A 6TSOP | Έρευνα |
|
PBSS304NZ,135 | Nexperia | TRANS NPN 60V 5.2A SOT-223 | Έρευνα |
|
PBSS305NX,115 | Nexperia | TRANS NPN 80V 4.6A SOT89 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο