Το PA12B3T20 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την PA12B3T20, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το PA12B3T20 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε PA12B3T20 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
PA12B3T20
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PA12B3T20
- Κατασκευαστής:
- Carlo Gavazzi
- Περιγραφή:
- SEN PHT TB EMIT CH3 M12
- Ποσότητα αποθέματος:
- 31869 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PA12B3T20.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 10 V ~ 30 V |
| Σειρά: | - |
| Μέθοδος ανίχνευσης: | Through-Beam |
| Απόσταση ανίχνευσης: | 787.4" (20m) |
| Χρόνος απόκρισης: | 10ms, 20ms |
| Διαμόρφωση εξόδου: | NPN |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -20°C ~ 50°C |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | Not Applicable |
| Πηγή φωτός: | Infrared (880nm) |
| Προστασία Ingress: | IP67 |
| Μέθοδος σύνδεσης: | Cable |
| καλώδιο Μήκος: | 196.850" (5000.00mm) |
| Τύπος προσαρμογής: | Adjustable |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PA12B3T20
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PA12B1T20PC | Carlo Gavazzi | SEN PHT TB REC CH1 12M PNP NC | Έρευνα |
|
PA12B3T20PO | Carlo Gavazzi | SEN PHT TB REC CH3 M12 PNP NO | Έρευνα |
|
PA12BNT20NOC2 | Carlo Gavazzi | SEN PHT TB REC PL M12 NPN NO | Έρευνα |
|
PA12B2T20 | Carlo Gavazzi | SEN PHT TB EMIT CH2 M12 | Έρευνα |
|
PA12BNT20PC | Carlo Gavazzi | SEN PHT TB REC PL 12M PNP NC | Έρευνα |
 |
PA12BNT20 | Carlo Gavazzi | PHOTO TE PL M12 CAB | Έρευνα |
|
PA12B3T20NC | Carlo Gavazzi | SEN PHT TB REC CH3 M12 NPN NC | Έρευνα |
|
PA12B3T20PC | Carlo Gavazzi | SEN PHT TB REC CH3 12M PNP NC | Έρευνα |
|
PA12B2T20PO | Carlo Gavazzi | SEN PHT TB REC CH2 M12 PNP NO | Έρευνα |
|
PA12B1T20NO | Carlo Gavazzi | SEN PHT TB REC CH1 M12 NPN NO | Έρευνα |
|
PA12B1T20NOC2 | Carlo Gavazzi | SEN PHT TB REC CH1 M12 NPN NO | Έρευνα |
 |
PA12BNT20NO | Carlo Gavazzi | PHT TR PL M12 NPN NO | Έρευνα |
|
PA12BNT20NC | Carlo Gavazzi | SEN PHT TB REC PL M12 NPN NC | Έρευνα |
|
PA12B2T20NO | Carlo Gavazzi | SEN PHT TB REC CH2 M12 NPN NO | Έρευνα |
|
PA12B2T20PC | Carlo Gavazzi | SEN PHT TB REC CH2 12M PNP NC | Έρευνα |
|
PA12B1T20NC | Carlo Gavazzi | SEN PHT TB REC CH1 M12 NPN NC | Έρευνα |
|
PA12B2T20NC | Carlo Gavazzi | SEN PHT TB REC CH2 M12 NPN NC | Έρευνα |
|
PA12B3T20NO | Carlo Gavazzi | SEN PHT TB REC CH3 M12 NPN NO | Έρευνα |
|
PA12BNT20NCC2 | Carlo Gavazzi | SEN PHT TB REC PL M12 NPN NC | Έρευνα |
|
PA12B1T20PO | Carlo Gavazzi | SEN PHT TB REC CH1 M12 PNP NO | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο