Το NX3008PBK,215 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την NX3008PBK,215, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το NX3008PBK,215 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε NX3008PBK,215 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
NX3008PBK,215
- Αριθμός εξαρτήματος:
- NX3008PBK,215
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- MOSFET P-CH 30V TO-236AB
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 27858 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- NX3008PBK,215.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-236AB (SOT23) |
| Σειρά: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 350mW (Ta), 1.14W (Tc) |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Αλλα ονόματα: | 1727-1281-1 568-10499-1 568-10499-1-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 46pF @ 15V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 0.72nC @ 4.5V |
| FET Τύπος: | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 30V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | P-Channel 30V 230mA (Ta) 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 230mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για NX3008PBK,215
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
NX3020NAKT,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 30V 180MA SC-75 | Έρευνα |
 |
NX3008PBKW,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 30V SOT323 | Έρευνα |
 |
NX3020NAKS,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOP | Έρευνα |
|
NX3008CBKS,115 | Nexperia | MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOP | Έρευνα |
 |
NX3008NBKV,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT666 | Έρευνα |
|
NX3008NBKW,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V SOT323 | Έρευνα |
 |
NX3008NBK,215 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V TO-236AB | Έρευνα |
 |
NX3008PBKMB,315 | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 300MA 3DFN | Έρευνα |
|
NX3020NAKV,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 | Έρευνα |
|
NX3008PBKV,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666 | Έρευνα |
|
NX3008NBKT,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 30V SC-75 | Έρευνα |
|
NX3008PBKS,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP | Έρευνα |
|
NX3008NBKMB,315 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 530MA 3DFN | Έρευνα |
|
NX3008NBKSH | Nexperia | MOSFET 2 N-CH 30V 350MA 6TSSOP | Έρευνα |
|
NX3020NAK,215 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 200MA TO-236AB | Έρευνα |
|
NX3008PBKT,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET P-CH 30V SC-75 | Έρευνα |
|
NX3008CBKV,115 | Nexperia | MOSFET N/P-CH 30V SOT666 | Έρευνα |
|
NX3008NBKS,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP | Έρευνα |
 |
NX3020NAKW,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323 | Έρευνα |
 |
NX3020NAKVYL | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική