Το NTHD4102PT3G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την NTHD4102PT3G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το NTHD4102PT3G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε NTHD4102PT3G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
NTHD4102PT3G
- Αριθμός εξαρτήματος:
- NTHD4102PT3G
- Κατασκευαστής:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Περιγραφή:
- MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 40073 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- NTHD4102PT3G.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Test: | 750pF @ 16V |
| Τάσης - Ανάλυση: | ChipFET™ |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Σειρά: | - |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.9A |
| Ισχύς - Max: | 1.1W |
| Πόλωση: | 8-SMD, Flat Lead |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | NTHD4102PT3G |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 8.6nC @ 4.5V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 1.5V @ 250µA |
| FET Χαρακτηριστικό: | 2 P-Channel (Dual) |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 1.1W Surface Mount ChipFET™ |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | Logic Level Gate |
| Περιγραφή: | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 20V |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για NTHD4102PT3G
Latest Ειδήσεις
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash