NSVB114YPDXV6T1G
NSVB114YPDXV6T1G
Αριθμός εξαρτήματος:
NSVB114YPDXV6T1G
Κατασκευαστής:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Περιγραφή:
TRANS BRT 50V 100MA SOT563
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
28537 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
NSVB114YPDXV6T1G.pdf

Εισαγωγή

Το NSVB114YPDXV6T1G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την NSVB114YPDXV6T1G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το NSVB114YPDXV6T1G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε NSVB114YPDXV6T1G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):50V
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
transistor Τύπος:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:SOT-563
Σειρά:-
Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2):47 kOhms
Αντίσταση - Βάση (R1):10 kOhms
Ισχύς - Max:500mW
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:SOT-563, SOT-666
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Συχνότητα - Μετάβαση:-
Λεπτομερής περιγραφή:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max):500nA
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις