NSVB114YPDXV6T1G
NSVB114YPDXV6T1G
Part Number:
NSVB114YPDXV6T1G
Výrobce:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Popis:
TRANS BRT 50V 100MA SOT563
Vedoucí volný stav:
Bez olova / V souladu RoHS
Množství zásob:
28537 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Dodací lhůta:
4-8 weeks
Datový list:
NSVB114YPDXV6T1G.pdf

Úvod

NSVB114YPDXV6T1G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro NSVB114YPDXV6T1G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro NSVB114YPDXV6T1G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si NSVB114YPDXV6T1G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New & Original, tested
Země původu Contact us
Označovací kód Send by email
Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ IB, IC:250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Dodavatel zařízení Package:SOT-563
Série:-
Resistor - emitorová základna (R2):47 kOhms
Rezistor - základna (R1):10 kOhms
Power - Max:500mW
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:SOT-563, SOT-666
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frekvence - Přechod:-
Detailní popis:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Aktuální - sběratel Cutoff (Max):500nA
Proud - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře