Το NPVV477M004R0003 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την NPVV477M004R0003, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το NPVV477M004R0003 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε NPVV477M004R0003 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
NPVV477M004R0003
- Αριθμός εξαρτήματος:
- NPVV477M004R0003
- Κατασκευαστής:
- AVX Corporation
- Περιγραφή:
- CAP NIOB OXIDE 470UF 20% 4V 2924
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 27127 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- NPVV477M004R0003.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 4V |
| Ανοχή: | ±20% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 2924 (7361 Metric) |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.287" L x 0.240" W (7.30mm x 6.10mm) |
| Σειρά: | CoreCap® NPV |
| Συσκευασία: | Original-Reel® |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 2924 (7361 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | 478-6243-6 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 105°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Μέγεθος Κωδικός: | V |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.148" (3.75mm) |
| Χαρακτηριστικά: | Low ESR Multi-anode |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 3 mOhms |
| απαγωγή Factor: | 6% |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 470µF Niobium Oxide Capacitor 4V 2924 (7361 Metric) 3 mOhms |
| Τρέχουσες - Διαρροή: | 37.6µA |
| χωρητικότητα: | 470µF |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για NPVV477M004R0003
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
NOJP335M010RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 3.3UF 20% 10V 0805 | Έρευνα |
 |
NOSA156M004R1500 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 15UF 20% 4V 1206 | Έρευνα |
 |
NPVV567M002R0003 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 560UF 20% 2.5V 2924 | Έρευνα |
|
NPVV337M004R0003 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 330UF 20% 4V 2924 | Έρευνα |
 |
NOJS106M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 10UF 20% 4V 1206 | Έρευνα |
 |
NOJY337M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 330UF 20% 4V 2917 | Έρευνα |
|
NOSV108M002S0050 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 1000UF 2.5V 2924 | Έρευνα |
|
NOJA156M004SWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 15UF 20% 4V 1206 | Έρευνα |
|
NOJX227M001RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 220UF 20% 1.8V 2917 | Έρευνα |
|
NOJP475M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 4.7UF 20% 6.3V 0805 | Έρευνα |
 |
NOSC157M002R0065 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 150UF 20% 2.5V 2312 | Έρευνα |
|
NOJP685M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 6.8UF 20% 4V 0805 | Έρευνα |
 |
NOSB156M006R0600 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 15UF 20% 6.3V 1210 | Έρευνα |
|
NOSD107M006R0100 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 100UF 20% 6.3V 2917 | Έρευνα |
|
NOJD477M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 470UF 20% 4V 2917 | Έρευνα |
 |
NLJP226M004R4000 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 22UF 20% 4V 0805 | Έρευνα |
|
NOJY686M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 68UF 20% 6.3V 2917 | Έρευνα |
|
NOJS685M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 6.8UF 20% 6.3V 1206 | Έρευνα |
|
NOJP685M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 6.8UF 20% 6.3V 0805 | Έρευνα |
|
NOJC227M001RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 220UF 20% 1.8V 2312 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο