Το NOSD337M004R0100 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την NOSD337M004R0100, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το NOSD337M004R0100 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε NOSD337M004R0100 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
NOSD337M004R0100
- Αριθμός εξαρτήματος:
- NOSD337M004R0100
- Κατασκευαστής:
- AVX Corporation
- Περιγραφή:
- CAP NIOB OXIDE 330UF 20% 4V 2917
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 35043 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- NOSD337M004R0100.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 4V |
| Ανοχή: | ±20% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 2917 (7343 Metric) |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
| Σειρά: | OxiCap® NOS |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 2917 (7343 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | 478-1830-2 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 14 Weeks |
| Κατασκευαστής Μέγεθος Κωδικός: | D |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.122" (3.10mm) |
| Χαρακτηριστικά: | Low ESR |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 100 mOhms |
| απαγωγή Factor: | 8% |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 330µF Niobium Oxide Capacitor 4V 2917 (7343 Metric) 100 mOhms |
| Τρέχουσες - Διαρροή: | 26.4µA |
| χωρητικότητα: | 330µF |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για NOSD337M004R0100
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
NOSD157M006R0100 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 150UF 20% 6.3V 2917 | Έρευνα |
|
NOSE227M006R0080 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 220UF 20% 6.3V 2917 | Έρευνα |
|
NOSE337M006R0080 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 330UF 20% 6.3V 2917 | Έρευνα |
|
NOSD227M006R0045 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 220UF 20% 6.3V 2917 | Έρευνα |
|
NOSE477M002R0100 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 470UF 20% 2.5V 2917 | Έρευνα |
|
NOSE337M004R0100 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 330UF 20% 4V 2917 | Έρευνα |
|
NOSE337M006R0100 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 330UF 20% 6.3V 2917 | Έρευνα |
|
NOSD227M004R0040 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 220UF 20% 4V 2917 | Έρευνα |
|
NOSD227M004R0060 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 220UF 20% 4V 2917 | Έρευνα |
|
NOSD477M004R0100 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 470UF 20% 4V 2917 | Έρευνα |
|
NOSD337M002R0100 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 330UF 20% 2.5V 2917 | Έρευνα |
|
NOSD337M002R0035 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 330UF 20% 2.5V 2917 | Έρευνα |
|
NOSD477M002R0055 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 470UF 20% 2.5V 2917 | Έρευνα |
|
NOSD477M002R0035 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 470UF 20% 2.5V 2917 | Έρευνα |
|
NOSD227M006R0100 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 220UF 20% 6.3V 2917 | Έρευνα |
|
NOSE227M006R0100 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 220UF 20% 6.3V 2917 | Έρευνα |
|
NOSD337M004R0035 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 330UF 20% 4V 2917 | Έρευνα |
|
NOSD227M006R0060 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 220UF 20% 6.3V 2917 | Έρευνα |
|
NOSD477M002R0100 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 470UF 20% 2.5V 2917 | Έρευνα |
|
NOSD227M004R0100 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 220UF 20% 4V 2917 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο