Το NOSA106M006R1000 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την NOSA106M006R1000, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το NOSA106M006R1000 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε NOSA106M006R1000 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
NOSA106M006R1000
- Αριθμός εξαρτήματος:
- NOSA106M006R1000
- Κατασκευαστής:
- AVX Corporation
- Περιγραφή:
- CAP NIOB OXID 10UF 20% 6.3V 1206
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 54500 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- NOSA106M006R1000.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 6.3V |
| Ανοχή: | ±20% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 1206 (3216 Metric) |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Σειρά: | OxiCap® NOS |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 1206 (3216 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | 478-8867-2 NOSA106M006R1000-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 14 Weeks |
| Κατασκευαστής Μέγεθος Κωδικός: | A |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.071" (1.80mm) |
| Χαρακτηριστικά: | Low ESR |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 1 Ohms |
| απαγωγή Factor: | 6% |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 10µF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 1206 (3216 Metric) 1 Ohms |
| Τρέχουσες - Διαρροή: | 1.2µA |
| χωρητικότητα: | 10µF |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για NOSA106M006R1000
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
NOSA226M002R0900 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 22UF 20% 2.5V 1206 | Έρευνα |
|
NOSA106M008R2200V | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 10UF 20% 8V 1206 | Έρευνα |
 |
NOSB476M006R0500 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 47UF 20% 6.3V 1210 | Έρευνα |
|
NOSA106M006S0800 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 10UF 20% 6.3V 1206 | Έρευνα |
|
NOSA156M004R1500 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 15UF 20% 4V 1206 | Έρευνα |
|
NOSB156M006R0600 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 15UF 20% 6.3V 1210 | Έρευνα |
|
NOSB226M006R0600 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 22UF 20% 6.3V 1210 | Έρευνα |
|
NOSB106M008R1000V | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 10UF 20% 8V 1210 | Έρευνα |
|
NOSB476M004R0500 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 47UF 20% 4V 1210 | Έρευνα |
|
NOSB336M004R0600 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 33UF 20% 4V 1210 | Έρευνα |
|
NOSB107M001R0350 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 100UF 20% 1.8V 1210 | Έρευνα |
|
NOSA106M006R0800 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 10UF 20% 6.3V 1206 | Έρευνα |
|
NOSA106K006R2000 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 10UF 10% 6.3V 1206 | Έρευνα |
|
NOSA106M006R2000 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 10UF 20% 6.3V 1206 | Έρευνα |
|
NOSB336M006R0600 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 33UF 20% 6.3V 1210 | Έρευνα |
|
NOSB476M002R0500 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 47UF 20% 2.5V 1210 | Έρευνα |
|
NOSB226M008R1800V | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 22UF 20% 8V 1210 | Έρευνα |
|
NOSB226M004R0600 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 22UF 20% 4V 1210 | Έρευνα |
|
NOSB156M008R1000V | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 15UF 20% 8V 1210 | Έρευνα |
 |
NOSC107M002R0150 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 100UF 20% 2.5V 2312 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό