Το NOSC107M002R0150 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την NOSC107M002R0150, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το NOSC107M002R0150 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε NOSC107M002R0150 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
NOSC107M002R0150
- Αριθμός εξαρτήματος:
- NOSC107M002R0150
- Κατασκευαστής:
- AVX Corporation
- Περιγραφή:
- CAP NIOB OXI 100UF 20% 2.5V 2312
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 22739 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- NOSC107M002R0150.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 2.5V |
| Ανοχή: | ±20% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 2312 (6032 Metric) |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) |
| Σειρά: | OxiCap® NOS |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 2312 (6032 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | 478-3224-2 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 14 Weeks |
| Κατασκευαστής Μέγεθος Κωδικός: | C |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.110" (2.80mm) |
| Χαρακτηριστικά: | Low ESR |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 150 mOhms |
| απαγωγή Factor: | 6% |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 100µF Niobium Oxide Capacitor 2.5V 2312 (6032 Metric) 150 mOhms |
| Τρέχουσες - Διαρροή: | 5µA |
| χωρητικότητα: | 100µF |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για NOSC107M002R0150
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
NOSB476M002R0500 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 47UF 20% 2.5V 1210 | Έρευνα |
 |
NOSC157M004R0150 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 150UF 20% 4V 2312 | Έρευνα |
|
NOSB156M006R0600 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 15UF 20% 6.3V 1210 | Έρευνα |
|
NOSC227M001R0150 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 220UF 20% 1.8V 2312 | Έρευνα |
|
NOSB476M004R0500 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 47UF 20% 4V 1210 | Έρευνα |
|
NOSC157M002R0065 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 150UF 20% 2.5V 2312 | Έρευνα |
|
NOSB226M004R0600 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 22UF 20% 4V 1210 | Έρευνα |
|
NOSB336M004R0600 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 33UF 20% 4V 1210 | Έρευνα |
|
NOSC107M004R0150 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 100UF 20% 4V 2312 | Έρευνα |
|
NOSB226M008R1800V | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 22UF 20% 8V 1210 | Έρευνα |
|
NOSC157M004R0090 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 150UF 20% 4V 2312 | Έρευνα |
|
NOSB156M008R1000V | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 15UF 20% 8V 1210 | Έρευνα |
|
NOSC157M002R0150 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 150UF 20% 2.5V 2312 | Έρευνα |
|
NOSB226M006R0600 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 22UF 20% 6.3V 1210 | Έρευνα |
|
NOSC227M001R0125 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 220UF 20% 1.8V 2312 | Έρευνα |
|
NOSB476M006R0500 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 47UF 20% 6.3V 1210 | Έρευνα |
|
NOSB336M006R0600 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 33UF 20% 6.3V 1210 | Έρευνα |
|
NOSC107M002S0150 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 100UF 20% 2.5V 2312 | Έρευνα |
|
NOSC107M006R0150 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 100UF 6.3V 2312 | Έρευνα |
|
NOSC107M004R0070 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 100UF 20% 4V 2312 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο