Το MURTA20040R είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την MURTA20040R, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το MURTA20040R μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε MURTA20040R με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
MURTA20040R
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MURTA20040R
- Κατασκευαστής:
- GeneSiC Semiconductor
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 52166 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- MURTA20040R.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.3V @ 100A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 400V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | Three Tower |
| Ταχύτητα: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Three Tower |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -55°C ~ 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 4 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 1 Pair Common Anode |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 400V 100A Chassis Mount Three Tower |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 25µA @ 400V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 100A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για MURTA20040R
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
MURTA30020 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 150A 3 TOWER | Έρευνα |
|
MURTA30060R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER | Έρευνα |
|
MURTA30040 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER | Έρευνα |
|
MURT40060 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER | Έρευνα |
|
MURTA20020 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER | Έρευνα |
|
MURT40060R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER | Έρευνα |
|
MURTA300120R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER | Έρευνα |
|
MURTA30040R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER | Έρευνα |
|
MURTA30020R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 150A 3 TOWER | Έρευνα |
|
MURT40020R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER | Έρευνα |
|
MURTA200120R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER | Έρευνα |
|
MURTA20060 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER | Έρευνα |
|
MURT40040 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER | Έρευνα |
|
MURTA200120 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER | Έρευνα |
|
MURTA20020R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER | Έρευνα |
|
MURTA300120 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER | Έρευνα |
|
MURTA30060 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER | Έρευνα |
|
MURTA20060R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER | Έρευνα |
|
MURT40040R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER | Έρευνα |
|
MURTA20040 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο