Το MT29C4G96MAZBACJG-5 IT είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την MT29C4G96MAZBACJG-5 IT, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το MT29C4G96MAZBACJG-5 IT μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε MT29C4G96MAZBACJG-5 IT με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
MT29C4G96MAZBACJG-5 IT
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MT29C4G96MAZBACJG-5 IT
- Κατασκευαστής:
- Micron Technology
- Περιγραφή:
- IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 45531 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- MT29C4G96MAZBACJG-5 IT.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page: | - |
| Τάσης - Προμήθεια: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Τεχνολογία: | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 168-VFBGA (12x12) |
| Σειρά: | - |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 168-VFBGA |
| Αλλα ονόματα: | MT29C4G96MAZBACJG-5 IT-ND MT29C4G96MAZBACJG-5IT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Τύπος μνήμης: | Non-Volatile |
| Μέγεθος μνήμης: | 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) |
| Διασύνδεση μνήμης: | Parallel |
| Μορφή μνήμης: | FLASH, RAM |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Λεπτομερής περιγραφή: | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Parallel 200MHz 168-VFBGA (12x12) |
| Συχνότητα ρολογιού: | 200MHz |
| Αριθμός μέρους βάσης: | MT29C4G96M |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για MT29C4G96MAZBACJG-5 IT
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο