Το MSP08C03680RGEJ είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την MSP08C03680RGEJ, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το MSP08C03680RGEJ μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε MSP08C03680RGEJ με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
MSP08C03680RGEJ
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MSP08C03680RGEJ
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- RES ARRAY 4 RES 680 OHM 8SIP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 49881 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- MSP08C03680RGEJ.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Ανοχή: | ±2% |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | ±100ppm/°C |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 8-SIP |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.790" L x 0.090" W (20.07mm x 2.29mm) |
| Σειρά: | MSP |
| Αντιστοίχηση-Αντιστοίχιση-Αντίσταση: | ±50 ppm/°C |
| Συντελεστής αντιστοίχισης αντιστάσεων: | - |
| Αντίσταση (Ohms): | 680 |
| Ισχύς ανά στοιχείο: | 400mW |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 8-SIP |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| Αριθμός αντιστάσεις: | 4 |
| Αριθμός Pins: | 8 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 22 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.350" (8.89mm) |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 680 Ohm ±2% 400mW Power Per Element Isolated 4 Resistor Network/Array ±100ppm/°C 8-SIP |
| κύκλωμα Τύπος: | Isolated |
| εφαρμογές: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για MSP08C03680RGEJ
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
MSP08C036K80GEJ | Dale / Vishay | RES ARRAY 4 RES 6.8K OHM 8SIP | Έρευνα |
|
MSP08C031K20GEJ | Dale / Vishay | RES ARRAY 4 RES 1.2K OHM 8SIP | Έρευνα |
|
MSP08C0368R0GEJ | Dale / Vishay | RES ARRAY 4 RES 68 OHM 8SIP | Έρευνα |
 |
MSP09A0122K0GEJ | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 22K OHM 9SIP | Έρευνα |
|
MSP08C031K00GEJ | Dale / Vishay | RES ARRAY 4 RES 1K OHM 8SIP | Έρευνα |
|
MSP09A0110K0GEJ | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 10K OHM 9SIP | Έρευνα |
|
MSP09A011K00FEJ | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 1K OHM 9SIP | Έρευνα |
|
MSP08C031K50GEJ | Dale / Vishay | RES ARRAY 4 RES 1.5K OHM 8SIP | Έρευνα |
|
MSP10A01100KFEJ | Dale / Vishay | RES ARRAY 9 RES 100K OHM 10SIP | Έρευνα |
|
MSP09A0133R0GEJ | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 33 OHM 9SIP | Έρευνα |
|
MSP08C03390RGEJ | Dale / Vishay | RES ARRAY 4 RES 390 OHM 8SIP | Έρευνα |
|
MSP08C0382K0GEJ | Dale / Vishay | RES ARRAY 4 RES 82K OHM 8SIP | Έρευνα |
|
MSP08C03220RGEJ | Dale / Vishay | RES ARRAY 4 RES 220 OHM 8SIP | Έρευνα |
|
MSP08C034K70GEJ | Dale / Vishay | RES ARRAY 4 RES 4.7K OHM 8SIP | Έρευνα |
|
MSP08C033K30GEJ | Dale / Vishay | RES ARRAY 4 RES 3.3K OHM 8SIP | Έρευνα |
|
MSP08C032K20GEJ | Dale / Vishay | RES ARRAY 4 RES 2.2K OHM 8SIP | Έρευνα |
|
MSP08C031M00GEJ | Dale / Vishay | RES ARRAY 4 RES 1M OHM 8SIP | Έρευνα |
|
MSP08C031K80GEJ | Dale / Vishay | RES ARRAY 4 RES 1.8K OHM 8SIP | Έρευνα |
|
MSP09A011K00GEJ | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 1K OHM 9SIP | Έρευνα |
|
MSP09A0110K0JEJ | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 10K OHM 9SIP | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC