Το MLP2012S2R2TT0S1 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την MLP2012S2R2TT0S1, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το MLP2012S2R2TT0S1 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε MLP2012S2R2TT0S1 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
MLP2012S2R2TT0S1
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MLP2012S2R2TT0S1
- Κατασκευαστής:
- TDK Corporation
- Περιγραφή:
- FIXED IND 2.2UH 600MA 429 MOHM
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 46915 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.MLP2012S2R2TT0S1.pdf2.MLP2012S2R2TT0S1.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | Multilayer |
| Ανοχή: | ±20% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 0805 (2012 Metric) |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| θωράκιση: | Shielded |
| Σειρά: | MLP |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Q @ Συχν: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 0805 (2012 Metric) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Υλικό - Πυρήνας: | Ferrite |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Επαγωγική συχνότητα - Δοκιμή: | 2MHz |
| Επαγωγή: | 2.2µH |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.022" (0.55mm) |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 2.2µH Shielded Multilayer Inductor 600mA 429 mOhm Max 0805 (2012 Metric) |
| Αντίσταση DC (DCR): | 429 mOhm Max |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 600mA |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για MLP2012S2R2TT0S1
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
MLP2012S2R2T | TDK Corporation | FIXED IND 2.2UH 600MA 330 MOHM | Έρευνα |
|
MLP2012S1R5MT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 1.5UH 1A 160 MOHM SMD | Έρευνα |
 |
MLP2012S1R0TT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 800MA 299 MOHM SMD | Έρευνα |
|
MLP2012S2R2MT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 2.2UH 800MA 230 MOHM | Έρευνα |
|
MLP2012V1R0T | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 700MA 260 MOHM SMD | Έρευνα |
|
MLP2012SR47TT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 470NH 1.2A 169 MOHM | Έρευνα |
|
MLP2012R1R0MT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 500MA 689 MOHM SMD | Έρευνα |
|
MLP2012V1R0TT | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 700MA 338 MOHM SMD | Έρευνα |
|
MLP2012SR47MT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 470NH 1.2A 90 MOHM SMD | Έρευνα |
|
MLP2012S4R7MT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 4.7UH 700MA 260 MOHM | Έρευνα |
|
MLP2012V1R0MT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 900MA 200 MOHM SMD | Έρευνα |
|
MLP2012S1R5TT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 1.5UH 700MA 351 MOHM | Έρευνα |
|
MLP2012SR47T | TDK Corporation | FIXED IND 470NH 1.2A 130 MOHM | Έρευνα |
|
MLP2012S3R3MT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 3.3UH 900MA 190 MOHM | Έρευνα |
|
MLP2012HR54MT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 540NH 1.3A 65 MOHM SMD | Έρευνα |
|
MLP2012SR82T | TDK Corporation | FIXED IND 820NH 1.2A 130 MOHM | Έρευνα |
|
MLP2012SR82TT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 820NH 1.2A 169 MOHM | Έρευνα |
|
MLP2012S1R0MT0S1 | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 1A 160 MOHM SMD | Έρευνα |
|
MLP2012S1R0T | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 800MA 230 MOHM SMD | Έρευνα |
|
MLP2012S1R5T | TDK Corporation | FIXED IND 1.5UH 700MA 270 MOHM | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC