Το MLF2012A1R0KT000 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την MLF2012A1R0KT000, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το MLF2012A1R0KT000 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε MLF2012A1R0KT000 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
MLF2012A1R0KT000
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MLF2012A1R0KT000
- Κατασκευαστής:
- TDK Corporation
- Περιγραφή:
- FIXED IND 1UH 80MA 300 MOHM SMD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 27885 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- MLF2012A1R0KT000.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | Multilayer |
| Ανοχή: | ±10% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 0805 (2012 Metric) |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| θωράκιση: | Shielded |
| Σειρά: | MLF |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Q @ Συχν: | 45 @ 10MHz |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 0805 (2012 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | 445-1047-2 MLF2012A1R0K |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Υλικό - Πυρήνας: | Ferrite |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Επαγωγική συχνότητα - Δοκιμή: | 10MHz |
| Επαγωγή: | 1µH |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.041" (1.05mm) |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | 120MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 1µH Shielded Multilayer Inductor 80mA 300 mOhm Max 0805 (2012 Metric) |
| Αντίσταση DC (DCR): | 300 mOhm Max |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 80mA |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για MLF2012A1R0KT000
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
MLF2012A1R0MT000 | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 80MA 300 MOHM SMD | Έρευνα |
 |
MLF1608E8R2KTD25 | TDK Corporation | FIXED IND 8.2UH 10MA 1.5 OHM SMD | Έρευνα |
|
MLF2012A1R0KTD25 | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 80MA 300 MOHM SMD | Έρευνα |
|
MLF2012A1R0MT | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 80MA 300 MOHM SMD | Έρευνα |
|
MLF2012A1R2KT000 | TDK Corporation | FIXED IND 1.2UH 80MA 350 MOHM | Έρευνα |
|
MLF2012A1R0JTD25 | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 80MA 300 MOHM SMD | Έρευνα |
|
MLF2012A1R0JT000 | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 80MA 300 MOHM SMD | Έρευνα |
|
MLF2012A1R2M | TDK Corporation | FIXED IND 1.2UH 80MA 350 MOHM | Έρευνα |
|
MLF1608E8R2MTD25 | TDK Corporation | FIXED IND 8.2UH 10MA 1.5 OHM SMD | Έρευνα |
|
MLF1608E6R8MTD25 | TDK Corporation | FIXED IND 6.8UH 15MA 1.3 OHM SMD | Έρευνα |
|
MLF1608E8R2MTA00 | TDK Corporation | FIXED IND 8.2UH 10MA 1.5 OHM SMD | Έρευνα |
|
MLF1608E8R2M | TDK Corporation | FIXED IND 8.2UH 10MA 1.5 OHM SMD | Έρευνα |
|
MLF2012A1R0M | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 80MA 300 MOHM SMD | Έρευνα |
|
MLF2012A1R2KTD25 | TDK Corporation | FIXED IND 1.2UH 80MA 350 MOHM | Έρευνα |
|
MLF1608E8R2JTD25 | TDK Corporation | FIXED IND 8.2UH 10MA 1.5 OHM SMD | Έρευνα |
 |
MLF1608E8R2KTA00 | TDK Corporation | FIXED IND 8.2UH 10MA 1.5 OHM SMD | Έρευνα |
|
MLF2012A1R0MTD25 | TDK Corporation | FIXED IND 1UH 80MA 300 MOHM SMD | Έρευνα |
|
MLF2012A1R2JT000 | TDK Corporation | FIXED IND 1.2UH 80MA 350 MOHM | Έρευνα |
|
MLF1608E8R2JT000 | TDK Corporation | FIXED IND 8.2UH 10MA 1.5 OHM SMD | Έρευνα |
|
MLF2012A1R2JTD25 | TDK Corporation | FIXED IND 1.2UH 80MA 350 MOHM | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash