MJD112T4
MJD112T4
Αριθμός εξαρτήματος:
MJD112T4
Κατασκευαστής:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Περιγραφή:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
Ποσότητα αποθέματος:
33048 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
MJD112T4.pdf

Εισαγωγή

Το MJD112T4 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την MJD112T4, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το MJD112T4 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε MJD112T4 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):100V
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic:3V @ 40mA, 4A
transistor Τύπος:NPN - Darlington
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:DPAK
Σειρά:-
Ισχύς - Max:20W
Συσκευασία:Cut Tape (CT)
Συσκευασία / υπόθεση:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Αλλα ονόματα:MJD112T4OSCT
Θερμοκρασία λειτουργίας:-65°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Συχνότητα - Μετάβαση:25MHz
Λεπτομερής περιγραφή:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 20W Surface Mount DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:1000 @ 2A, 3V
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max):20µA
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):2A
Αριθμός μέρους βάσης:MJD112
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις