Το MDP16035K10GE04 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την MDP16035K10GE04, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το MDP16035K10GE04 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε MDP16035K10GE04 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
MDP16035K10GE04
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MDP16035K10GE04
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- RES ARRAY 8 RES 5.1K OHM 16DIP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 27978 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- MDP16035K10GE04.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Ανοχή: | ±2% |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | ±100ppm/°C |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 16-DIP |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.850" L x 0.250" W (21.59mm x 6.35mm) |
| Σειρά: | MDP |
| Αντιστοίχηση-Αντιστοίχιση-Αντίσταση: | - |
| Συντελεστής αντιστοίχισης αντιστάσεων: | - |
| Αντίσταση (Ohms): | 5.1k |
| Ισχύς ανά στοιχείο: | 250mW |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Αλλα ονόματα: | MDP5.1KF |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| Αριθμός αντιστάσεις: | 8 |
| Αριθμός Pins: | 16 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 11 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.155" (3.94mm) |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 5.1k Ohm ±2% 250mW Power Per Element Isolated 8 Resistor Network/Array ±100ppm/°C 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| κύκλωμα Τύπος: | Isolated |
| εφαρμογές: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για MDP16035K10GE04
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
MDP1605191AGE04 | Dale / Vishay | RES NTWRK 28 RES MULT OHM 16DIP | Έρευνα |
|
MDP160347K0GE04 | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 47K OHM 16DIP | Έρευνα |
|
MDP1603510RJE04 | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 510 OHM 16DIP | Έρευνα |
|
MDP1603510RGE04 | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 510 OHM 16DIP | Έρευνα |
|
MDP160347R0GE04 | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 47 OHM 16DIP | Έρευνα |
|
MDP160375R0GE04 | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 75 OHM 16DIP | Έρευνα |
|
MDP160351R0GE04 | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 51 OHM 16DIP | Έρευνα |
|
MDP1603470KGE04 | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 470K OHM 16DIP | Έρευνα |
|
MDP1603470RGE04 | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 470 OHM 16DIP | Έρευνα |
|
MDP1603560RGE04 | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 560 OHM 16DIP | Έρευνα |
|
MDP160382R0GE04 | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 82 OHM 16DIP | Έρευνα |
|
MDP1603820RGE04 | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 820 OHM 16DIP | Έρευνα |
|
MDP160368R0GE04 | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 68 OHM 16DIP | Έρευνα |
|
MDP16036K80GE04 | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 6.8K OHM 16DIP | Έρευνα |
|
MDP1605131AGE04 | Dale / Vishay | RES NTWRK 28 RES MULT OHM 16DIP | Έρευνα |
|
MDP16038K20GE04 | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 8.2K OHM 16DIP | Έρευνα |
|
MDP160368K0GE04 | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 68K OHM 16DIP | Έρευνα |
|
MDP16034K70GE04 | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 4.7K OHM 16DIP | Έρευνα |
|
MDP1603680RGE04 | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 680 OHM 16DIP | Έρευνα |
|
MDP160356R0GE04 | Dale / Vishay | RES ARRAY 8 RES 56 OHM 16DIP | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο