Το MCP6H02T-E/MNY είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την MCP6H02T-E/MNY, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το MCP6H02T-E/MNY μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε MCP6H02T-E/MNY με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
MCP6H02T-E/MNY
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MCP6H02T-E/MNY
- Κατασκευαστής:
- Micrel / Microchip Technology
- Περιγραφή:
- IC OPAMP GP 1.2MHZ RRO 8TDFN
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 21946 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.MCP6H02T-E/MNY.pdf2.MCP6H02T-E/MNY.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Τροφοδοσία, Single / Dual (±): | 3.5 V ~ 16 V, ±1.75 V ~ 8 V |
| Τάση - Είσοδος Offset: | 700µV |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 8-TDFN (2x3) |
| περιστροφής Rate: | 0.8 V/µs |
| Σειρά: | - |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 8-WFDFN Exposed Pad |
| Τύπος εξόδου: | Rail-to-Rail |
| Αλλα ονόματα: | MCP6H02T-E/MNYCT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C |
| Αριθμός Κυκλωμάτων: | 2 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gain Bandwidth Προϊόν: | 1.2MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | General Purpose Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-TDFN (2x3) |
| Τρέχουσες - Προμήθεια: | 135µA |
| Τρέχουσες - εξόδου / κανάλι: | 50mA |
| Τρέχουσες - Bias Είσοδος: | 10pA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | MCP6H02 |
| Ενισχυτής Τύπος: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για MCP6H02T-E/MNY
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο