Το MC56F8006VWL είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την MC56F8006VWL, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το MC56F8006VWL μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε MC56F8006VWL με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
MC56F8006VWL
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MC56F8006VWL
- Κατασκευαστής:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Περιγραφή:
- IC MCU 16BIT 16KB FLASH 28SOIC
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 21418 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- MC56F8006VWL.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια (Vcc / Vdd): | 1.8 V ~ 3.6 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 28-SOIC |
| Ταχύτητα: | 32MHz |
| Σειρά: | 56F8xxx |
| RAM Μέγεθος: | 1K x 16 |
| Τύπος μνήμης προγράμματος: | FLASH |
| Μέγεθος μνήμης προγράμματος: | 16KB (8K x 16) |
| Περιφερειακά: | LVD, POR, PWM, WDT |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Αλλα ονόματα: | 935317231574 |
| Oscillator Τύπος: | Internal |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Αριθμός εισόδων / εξόδων: | 23 |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 12 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| EEPROM Μέγεθος: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 56800E 56F8xxx Microcontroller IC 16-Bit 32MHz 16KB (8K x 16) FLASH 28-SOIC |
| Μετατροπείς δεδομένων: | A/D 15x12b |
| πυρήνα Μέγεθος: | 16-Bit |
| core επεξεργαστή: | 56800E |
| συνδεσιμότητα: | I²C, LINbus, SCI, SPI |
| Αριθμός μέρους βάσης: | MC56F8006 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για MC56F8006VWL
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο