Το MAX5433LETA+T είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την MAX5433LETA+T, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το MAX5433LETA+T μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε MAX5433LETA+T με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
MAX5433LETA+T
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MAX5433LETA+T
- Κατασκευαστής:
- Maxim Integrated
- Περιγραφή:
- IC POT DGTL 32-TAP NV I2C 8-TDFN
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 25299 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.MAX5433LETA+T.pdf2.MAX5433LETA+T.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 2.7 V ~ 5.25 V |
| Ανοχή: | ±25% |
| Συντελεστής θερμοκρασίας (τύπος): | 35 ppm/°C |
| Κωνοειδής: | Linear |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 8-TDFN-EP (3x3) |
| Σειρά: | - |
| Αντίσταση - Υαλοκαθαριστήρας (Ohms) (Τύπος): | 610 |
| Αντίσταση (Ohms): | 100k |
| Συσκευασία: | Strip |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 8-WDFN Exposed Pad |
| Αλλα ονόματα: | MAX5433LETA+ MAX5433LETA+TTR MAX5433LETA+TTR-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C |
| Αριθμός βρύων: | 32 |
| Αριθμός Κυκλωμάτων: | 1 |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Τύπος μνήμης: | Non-Volatile |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| διασύνδεση: | I²C |
| Χαρακτηριστικά: | Selectable Address |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Digital Potentiometer 100k Ohm 1 Circuit 32 Taps I²C Interface 8-TDFN-EP (3x3) |
| Διαμόρφωση: | Potentiometer |
| Αριθμός μέρους βάσης: | MAX5433 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για MAX5433LETA+T
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
MAX5435LEZT+T | Maxim Integrated | IC POT DGTL 32TAP NV TSOT23-6 | Έρευνα |
 |
MAX5431AEUB+ | Maxim Integrated | IC VOLTAGE DIVIDER PGA 10-UMAX | Έρευνα |
|
MAX5436EUB+ | Maxim Integrated | IC POT DGTL 128-TAP 15V 10-UMAX | Έρευνα |
|
MAX5431CEUB+T | Maxim Integrated | IC VOLTAGE DIVIDER PGA 10-UMAX | Έρευνα |
 |
MAX5432META+T | Maxim Integrated | IC POT DGTL 32-TAP NV I2C 8-TDFN | Έρευνα |
|
MAX5431AEUB+T | Maxim Integrated | IC VOLTAGE DIVIDER PGA 10-UMAX | Έρευνα |
 |
MAX5430CEKA+T | Maxim Integrated | IC VOLTAGE DIVIDER PGA SOT23-8 | Έρευνα |
|
MAX5430BEKA+T | Maxim Integrated | IC VOLT DIVIDER DGTL PGA SOT23-8 | Έρευνα |
|
MAX5432LETA+T | Maxim Integrated | IC POT DGTL 32-TAP NV I2C 8-TDFN | Έρευνα |
|
MAX5434NEZT+ | Maxim Integrated | IC POT DGTL 32TAP NV TSOT23-6 | Έρευνα |
|
MAX5436EUB+T | Maxim Integrated | IC POT DGTL 128-TAP 15V 10-UMAX | Έρευνα |
|
MAX5430AEKA+T | Maxim Integrated | IC VOLTAGE DIVIDER PGA SOT23-8 | Έρευνα |
|
MAX5435MEZT+T | Maxim Integrated | IC POT DGTL 32TAP NV TSOT23-6 | Έρευνα |
|
MAX5431CEUB+ | Maxim Integrated | IC VOLTAGE DIVIDER PGA 10-UMAX | Έρευνα |
|
MAX5434LEZT+T | Maxim Integrated | IC POT DGTL 32TAP NV TSOT23-6 | Έρευνα |
|
MAX5431BEUB+ | Maxim Integrated | IC VOLTAGE DIVIDER PGA 10-UMAX | Έρευνα |
|
MAX5434MEZT+T | Maxim Integrated | IC POT DGTL 32TAP NV TSOT23-6 | Έρευνα |
 |
MAX5437EUD+ | Maxim Integrated | IC DGTL POT 128-TAP 15V 14-TSSOP | Έρευνα |
|
MAX5433META+T | Maxim Integrated | IC POT DGTL 32-TAP NV I2C 8-TDFN | Έρευνα |
|
MAX5434NEZT+T | Maxim Integrated | IC POT DGTL 32TAP NV TSOT23-6 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο