Το MAL215822222E3 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την MAL215822222E3, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το MAL215822222E3 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε MAL215822222E3 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
MAL215822222E3
- Αριθμός εξαρτήματος:
- MAL215822222E3
- Κατασκευαστής:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Περιγραφή:
- CAP ALUM 2200UF 20% 80V SNAP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 25964 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.MAL215822222E3.pdf2.MAL215822222E3.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 80V |
| Ανοχή: | ±20% |
| Surface Mount Οικόπεδο: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.984" Dia (25.00mm) |
| Σειρά: | 158 PUL-SI |
| Ρεύμα ρεύματος @ χαμηλής συχνότητας: | 2.74A @ 100Hz |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Πόλωση: | Polar |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial, Can - Snap-In |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 105°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 21 Weeks |
| Ισόβια @ Temp.: | 5000 Hrs @ 105°C |
| μόλυβδος Απόσταση: | 0.394" (10.00mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Αντίσταση: | 156 mOhms |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 1.654" (42.00mm) |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 166 mOhm @ 100Hz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 2200µF 80V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Snap-In 166 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 105°C |
| χωρητικότητα: | 2200µF |
| εφαρμογές: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για MAL215822222E3
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο