Το M55342K10B161DRT0V είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την M55342K10B161DRT0V, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το M55342K10B161DRT0V μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε M55342K10B161DRT0V με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
M55342K10B161DRT0V
- Αριθμός εξαρτήματος:
- M55342K10B161DRT0V
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- RES SMD 161 OHM 1% 1/2W 1010
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 22260 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- M55342K10B161DRT0V.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση Αξιολόγηση - AC: | R (0.01%) |
| Τάσης - Εργασίας: | 0.5W, 1/2W |
| Τάσης - Ανάλυση: | 1010 |
| Πάχος (Max): | ±100ppm/°C |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.105" L x 0.100" W (2.67mm x 2.54mm) |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-55342, RM1010 |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Πόλωση: | 1010 |
| Άλλα ονόματα: | M55342K10B161DRT0V-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 24 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | M55342K10B161DRT0V |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.033" (0.84mm) |
| Χαρακτηριστικά: | Military, Non-Inductive |
| FIFO του: | 2 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 161 Ohm ±1% 0.5W, 1/2W Chip Resistor 1010 Military, Non-Inductive Thin Film |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | ±1% |
| Περιγραφή: | RES SMD 161 OHM 1% 1/2W 1010 |
| Επίστρωση, Στέγαση Τύπος: | Thin Film |
| εύρος ζώνης: | 161 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για M55342K10B161DRT0V
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
M55342K10B2B05PWS | Dale / Vishay | RES SMD 2.05K OHM 0.1% 1/2W 1010 | Έρευνα |
|
M55342K10B10B0PWS | Dale / Vishay | RES SMD 10K OHM 0.1% 1/2W 1010 | Έρευνα |
 |
M55342K09B9E76RTSV | Dale / Vishay | RES SMD 9.76K OHM 1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342K09B8B25RWS | Dale / Vishay | RES SMD 8.25K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342K10B1F00RWSV | Vishay Dale | RES SMD 1M OHM 1% 1/2W 1010 | Έρευνα |
|
M55342K10B1B10RWS | Dale / Vishay | RES SMD 1.1K OHM 0.1% 1/2W 1010 | Έρευνα |
|
M55342K09B953DRT5V | Vishay Dale | RES SMD 953 OHM 1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342K10B1E00RWSV | Vishay Dale | RES SMD 1K OHM 1% 1/2W 1010 | Έρευνα |
|
M55342K10B1B04RWS | Dale / Vishay | RES SMD 1.04K OHM 0.1% 1/2W 1010 | Έρευνα |
|
M55342K09B8E25RWSV | Dale / Vishay | RES SMD 8.25K OHM 1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342K09B8B20RWS | Dale / Vishay | RES SMD 8.2K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342K10B1B69RWS | Dale / Vishay | RES SMD 1.69K OHM 0.1% 1/2W 1010 | Έρευνα |
|
M55342K10B10E0RWSV | Vishay Dale | RES SMD 10K OHM 1% 1/2W 1010 | Έρευνα |
|
M55342K10B162DRWSV | Vishay Dale | RES SMD 162 OHM 1% 1/2W 1010 | Έρευνα |
|
M55342K10B20E0RWSV | Vishay Dale | RES SMD 20K OHM 1% 1/2W 1010 | Έρευνα |
|
M55342K10B1B00RWS | Dale / Vishay | RES SMD 1K OHM 0.1% 1/2W 1010 | Έρευνα |
|
M55342K10B100KRT0V | Vishay Dale | RES SMD 100K OHM 5% 1/2W 1010 | Έρευνα |
|
M55342K10B1B26RWS | Dale / Vishay | RES SMD 1.26K OHM 0.1% 1/2W 1010 | Έρευνα |
|
M55342K10B100ERTSV | Vishay Dale | RES SMD 100K OHM 1% 1/2W 1010 | Έρευνα |
|
M55342K10B120ART5 | Dale / Vishay | RES SMD 120 OHM 0.1% 1/2W 1010 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash