Το M55342E12B105BRWS είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την M55342E12B105BRWS, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το M55342E12B105BRWS μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε M55342E12B105BRWS με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
M55342E12B105BRWS
- Αριθμός εξαρτήματος:
- M55342E12B105BRWS
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- RES SMD 105K OHM 0.1% 1/10W 0603
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 56145 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- M55342E12B105BRWS.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Ανοχή: | ±0.1% |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | ±25ppm/°C |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 0603 |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.064" L x 0.032" W (1.63mm x 0.81mm) |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-55342, RM0603 |
| Λειτουργία του πίνακα: | 105 kOhms |
| Ισχύς (Watts): | 0.1W, 1/10W |
| Συσκευασία: | Tray |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 0603 (1608 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | M55342E12B105BRWS-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C |
| Αριθμός Απολύσεις: | 2 |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 26 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.033" (0.84mm) |
| Χαρακτηριστικά: | Military, Non-Inductive |
| Ποσοστό αποτυχίας: | R (0.01%) |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 105 kOhms ±0.1% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0603 (1608 Metric) Military, Non-Inductive Thin Film |
| Σύνθεση: | Thin Film |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για M55342E12B105BRWS
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
M55342E12B100ERT1 | Dale / Vishay | RES SMD 100K OHM 1% 1/10W 0603 | Έρευνα |
|
M55342E12B10B0PBS | Dale / Vishay | RES SMD 10K OHM 0.1% 1/10W 0603 | Έρευνα |
|
M55342E12B100DRWS | Dale / Vishay | RES SMD 100 OHM 1% 1/10W 0603 | Έρευνα |
|
M55342E12B10B0PT5 | Dale / Vishay | RES SMD 10K OHM 0.1% 1/10W 0603 | Έρευνα |
|
M55342E12B100BRWS | Dale / Vishay | RES SMD 100K OHM 0.1% 1/10W 0603 | Έρευνα |
|
M55342E12B10B0CBS | Dale / Vishay | RES SMD 10K OHM 0.1% 1/10W 0603 | Έρευνα |
|
M55342E12B10B0RBS | Dale / Vishay | RES SMD 10K OHM 0.1% 1/10W 0603 | Έρευνα |
|
M55342E12B10B0MWS | Dale / Vishay | RES SMD 10K OHM 0.1% 1/10W 0603 | Έρευνα |
 |
M55342E12B10A0R | TT Electronics/IRC | RES SMD 10 OHM 0.1% 1/10W 0603 | Έρευνα |
|
M55342E12B102BRWS | Dale / Vishay | RES SMD 102K OHM 0.1% 1/10W 0603 | Έρευνα |
|
M55342E12B100ERT5 | Dale / Vishay | RES SMD 100K OHM 1% 1/10W 0603 | Έρευνα |
 |
M55342E12B100ERBS | Vishay Dale | RES SMD 100K OHM 1% 1/10W 0603 | Έρευνα |
|
M55342E12B10B0R | TT Electronics/IRC | RES SMD 10K OHM 0.1% 1/10W 0603 | Έρευνα |
|
M55342E12B100ERT0 | Dale / Vishay | RES SMD 100K OHM 1% 1/10W 0603 | Έρευνα |
|
M55342E12B100BRWI | Dale / Vishay | RES SMD 100K OHM 0.1% 1/10W 0603 | Έρευνα |
|
M55342E12B107BRT5 | Dale / Vishay | RES SMD 107K OHM 0.1% 1/10W 0603 | Έρευνα |
|
M55342E12B105ERWS | Dale / Vishay | RES SMD 105K OHM 1% 1/10W 0603 | Έρευνα |
|
M55342E12B10B0PWS | Dale / Vishay | RES SMD 10K OHM 0.1% 1/10W 0603 | Έρευνα |
|
M55342E12B100JRWS | Dale / Vishay | RES SMD 100 OHM 5% 1/10W 0603 | Έρευνα |
|
M55342E12B100ERWS | Dale / Vishay | RES SMD 100K OHM 1% 1/10W 0603 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash