Το M55342E09B750BRWS είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την M55342E09B750BRWS, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το M55342E09B750BRWS μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε M55342E09B750BRWS με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
M55342E09B750BRWS
- Αριθμός εξαρτήματος:
- M55342E09B750BRWS
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- RES SMD 750K OHM 0.1% 1W 2512
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 49436 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- M55342E09B750BRWS.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Ανοχή: | ±0.1% |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | ±25ppm/°C |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 2512 |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.259" L x 0.124" W (6.58mm x 3.15mm) |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-55342, RM2512 |
| Λειτουργία του πίνακα: | 750 kOhms |
| Ισχύς (Watts): | 1W |
| Συσκευασία: | Tray |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 2512 (6432 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | M55342E09B750BRWS-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C |
| Αριθμός Απολύσεις: | 2 |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 26 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.033" (0.84mm) |
| Χαρακτηριστικά: | Military, Non-Inductive |
| Ποσοστό αποτυχίας: | R (0.01%) |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 750 kOhms ±0.1% 1W Chip Resistor 2512 (6432 Metric) Military, Non-Inductive Thin Film |
| Σύνθεση: | Thin Film |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για M55342E09B750BRWS
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
M55342E09B5B11RWP | Vishay Dale | RES SMD 5.11K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B816ARWI | Vishay Dale | RES SMD 816 OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
 |
M55342E10B100BRWS | Dale / Vishay | RES SMD 100K OHM 0.1% 1/2W 1010 | Έρευνα |
|
M55342E09B6B34RWP | Vishay Dale | RES SMD 6.34K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B93D1RT5 | Vishay Dale | RES SMD 93.1 OHM 1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B5B11RWS | Dale / Vishay | RES SMD 5.11K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E10B100ARWS | Dale / Vishay | RES SMD 100 OHM 0.1% 1/2W 1010 | Έρευνα |
|
M55342E09B6B34RWS | Dale / Vishay | RES SMD 6.34K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B5B11RTP | Vishay Dale | RES SMD 5.11K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B6E80RWS | Dale / Vishay | RES SMD 6.8K OHM 1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B820ARWS | Dale / Vishay | RES SMD 820 OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B93D1RWS | Dale / Vishay | RES SMD 93.1 OHM 1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B78D7RWS | Dale / Vishay | RES SMD 78.7 OHM 1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B67B3RWS | Dale / Vishay | RES SMD 67.3K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E10B10B0RWS | Dale / Vishay | RES SMD 10K OHM 0.1% 1/2W 1010 | Έρευνα |
|
M55342E09B64B9RWS | Dale / Vishay | RES SMD 64.9K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B604ARWS | Dale / Vishay | RES SMD 604 OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B816ARWS | Dale / Vishay | RES SMD 816 OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B93B1RWS | Dale / Vishay | RES SMD 93.1K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B604ARWI | Vishay Dale | RES SMD 604 OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC