Το M55342E09B511BRWI είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την M55342E09B511BRWI, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το M55342E09B511BRWI μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε M55342E09B511BRWI με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
M55342E09B511BRWI
- Αριθμός εξαρτήματος:
- M55342E09B511BRWI
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- RES SMD 511K OHM 0.1% 1W 2512
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 46733 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- M55342E09B511BRWI.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση Αξιολόγηση - AC: | R (0.01%) |
| Τάσης - Εργασίας: | 1W |
| Τάσης - Ανάλυση: | 2512 |
| Πάχος (Max): | ±25ppm/°C |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.259" L x 0.124" W (6.58mm x 3.15mm) |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-55342, RM2512 |
| Κατάσταση RoHS: | Tray - Waffle |
| Πόλωση: | 2512 (6432 Metric) |
| Άλλα ονόματα: | M55342E09B511BRWI-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 24 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | M55342E09B511BRWI |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.033" (0.84mm) |
| Χαρακτηριστικά: | Military, Non-Inductive |
| FIFO του: | 2 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 511k Ohm ±0.1% 1W Chip Resistor 2512 (6432 Metric) Military, Non-Inductive Thin Film |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | ±0.1% |
| Περιγραφή: | RES SMD 511K OHM 0.1% 1W 2512 |
| Επίστρωση, Στέγαση Τύπος: | Thin Film |
| εύρος ζώνης: | 511k |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για M55342E09B511BRWI
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
M55342E09B56B9RWS | Dale / Vishay | RES SMD 56.9K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B549ARWI | Vishay Dale | RES SMD 549 OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B49D9RWS | Dale / Vishay | RES SMD 49.9 OHM 1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B49E9RWS | Dale / Vishay | RES SMD 49.9K OHM 1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B4B75RWP | Vishay Dale | RES SMD 4.75K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B51B1RWS | Dale / Vishay | RES SMD 51.1K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B4E42RWS | Dale / Vishay | RES SMD 4.42K OHM 1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B4B99RWS | Dale / Vishay | RES SMD 4.99K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B5B11RWP | Vishay Dale | RES SMD 5.11K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B549ARWS | Dale / Vishay | RES SMD 549 OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B4B70RWS | Dale / Vishay | RES SMD 4.7K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B4E99RWS | Dale / Vishay | RES SMD 4.99K OHM 1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B4B02RWS | Dale / Vishay | RES SMD 4.02K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B4B75RWI | Vishay Dale | RES SMD 4.75K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B5B11RT5 | Dale / Vishay | RES SMD 5.11K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B511BRWS | Dale / Vishay | RES SMD 511K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B4B75RWS | Dale / Vishay | RES SMD 4.75K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B549DRWS | Dale / Vishay | RES SMD 549 OHM 1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B5B11RTP | Vishay Dale | RES SMD 5.11K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B5B11RWS | Dale / Vishay | RES SMD 5.11K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;